不对称PN结

最简单的特性就是单向导电,复杂的电学、物理学特性太多了.

PN结在一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是 P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.基本特性 　在&n

看你是用什么方式了,如果是金属金属接触的方式扩散形成PN结是很慢的,因为没有外加的能量给原子运动用.如果是采用高温加热的方式就比较快啊,拿硅举个例子,把P型掺杂的硅片（含硼）放在反映室里通入P源和氧气

pn结正偏电压大于0.7V就有电流再问：如果有电流，那PN结内就有空穴与电子，那么怎么还能有内建电场？再答：pn结内建电场是个定值，正偏电压达到0.7V时内建电场被抵消了，不是它本身不存在了再问：内建

PN结是构成二极管的,而NPN或PNP是三极管,它是由两个PN结构成的.这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍,但是其内部结构只有有个了解认识就行了,不用深入研究,没有实际的用途.还是主要学习PN结的作

PN结：采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

正向偏置时呈低阻导电状态,反向偏置时呈现高阻近似不导电状态.理想条件下认为PN结具有单向导电性——正向偏置导通,反向偏置截止

+P-N-孔穴＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带-电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结,所以扩散运动越强,

空间电荷区,也就是“阻挡层”－－由N区的电子和P区的空穴在交界处向对方扩散所形成.使原本不带电的半导体,在交界处形成一个由N区(由P区扩散来的空穴)指向P区(由N区来的电子)的内建电场,并阻挡这些多数

在一个半导体芯片上（大多是4价材料,即原子的最外层有4个电子）,一面掺入3价材料,另一面掺入5价材料.这样,就会在两个渗入层之间产生一个反向电场区,这就是所谓的PN结.其实,P区就是掺入了3价材料的多

在PN区交界处,扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,重掺杂区域复合较严重,而复合掉的电子有来自清掺杂区域

当二极管两端还有明显压降时PN结处于“反向击穿”状态,有齐纳击穿和雪崩击穿但是若无明显压降,此刻二极管已损坏

首先你要知道PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的.结深这个概念主要在太阳能电池的PN结里面提到的比较多,因为晶体硅电池的PN结是在P型沉底的硅片上表面上扩散一层很薄的N型半导体一般只有0.3-0

二级管或者三级管（晶体管）上的重要部分,通常是在一块N型（P型）半导体的局部再掺入浓度较大的三价（五价）杂质,使其变为P型（N型）半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就形成了一个特殊的薄层,称为P

PN结采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.PN结（PNjunction）一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是

单向导通性

以NPN管为例,三极管共有两个PN结：b-e间的PN结和b-c间的PN结.在三极管正常工作时（在放大状态下）,b-e间的PN结是PN通（正向）,b-c间的PN结是NP通（反向）.

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

你的理解有偏颇.再问：我也觉得这种理解有问题，那么，请不吝赐教。再答：p性半导体和金属片制作在一起,可以形成pn结，一般肖特基二极管就是这个原理。那个是内建场对少子的抽取，和扩散电流相抵消。扩散是要有