三极管基级发射机导通电流

0.65V

这玩意是个非线性的元器件,单独问电压或者电流是没有任何意义的.它的数据手册上给出了最高电压、最大电流,但这两者是不能同时满足的.例如,它的输入压降为1.1.4V,但前提是,输入电流=20mA,也就是说

三极管的导通条件：三极管的导通条件是：发射结加正向电压,集电结加反向电压.发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V；锗管加0.2V.集电结加

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

发射机末极的工作状态是这样的模拟电视和数字电视发射机的发射状态一般是甲乙类,就是AB类,因为要考虑到线性因素,所以会适当牺牲效率调频发射机由于只有一个载波,所以对线性要求比较低这个时候多半才有丙类,这

集电结反偏应该是截止状态啊.怎么会是放大状态再问：有相关的文档吗再答：。。任何一本模电书都有讲。或者你百度一下三极管的工作状态。百度文库第一篇就有再答：。。。不过。我刚刚看了一下我好像记错了。再问：哦

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→R1→b→e→地；IC：VCC→R2→c→e→地；IE=IB+

1、三极管集电极与发射极的导通,取决于基极的电流,如果基极没有电流输入（电流为零）,则Ic=Ie=0,（实际电路中有很小的漏电流）.如果基极电流Ib渐渐增大,Ic和Ie也会成倍增大,增大的倍数取决于放

基极电流=-50mA,集极电流=-500mA时,集、射极跑和电压不会高于-0.5V

集电极饱和电流为160毫安,三极管的放大倍数按50计算,复合放大倍数为2500,基极电流为0.06毫安,基极电阻位80千欧.通过实验再调整.13007的C、E结为0.3伏三极管就饱和了.

PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么,就是E加电源电压,如5V,C极过一限流电阻接地）,那么如果你给控制端即B极一个低电平,此时就可以导通,导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V,

50μA的电流不小了,是处于导通状态.这个电阻主要是影响CE间的电流,当它大到电流接近BE间的泄漏电流时,输出将处于不稳定状态.

导通电压不重要吧,别击穿就行.这个三极管我没听过,先判定他的类型,NPN还是PNP还是别的你看http://hi.baidu.com/from%5Fice/album/%C4%AC%C8%CF%CF%

三极管的导通电压是不确定的,因为它是电流控制元件.对于硅三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3V左右,对于锗三极管,集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1V左右,但是如果不是处于饱和区而是出于

UBE=?UCE=?看是锗管还是硅管,锗管UBE0.3V,硅管0.7V,UCE要看具体情况了

“这个二极管……”应该是“这个三极管……”吧?不知道楼主说的“普通三极管”是不是指“小功率三极管”?如果是,一般小功率三极管的β值在60-120之间,集电极最大输出电流Icmax在100毫安左右.因此

导通电流增大.因为随着温度的增高,二极管的伏安特性曲线左移.

从晶体管原理可知,三极管是由背靠背的两只二极管所组成的,但是,你简单的用两只二极管背靠背连接起来那是不行的,这点是由三极管工艺来决定的.简单地说,三极管就好比一个阀门,依npn管为例,如果在管子集电极

空穴是无形的,实际上应该理解成是正电子（当然不是正电子哦.）他的形成原理是P性半导体和N型半导体集合后产生的无电子空轨道.基极可以是P型也可以的N型,所以是有含电子多的,也有含空穴多的.存在于PN结上

小信号放大器为例,基极电阻几十K欧姆,集电极电阻几K欧姆,发射结电阻几十欧姆.