三极管什么时候导通

0.65V

很简单：查三极管的输入特性曲线从图中得知发射结临界导通时的电压和电流,然后偏置电压减去发射结临界导通电压就得偏置电阻上的电压,同时又知基极电流,一除就知道三极管临界导通时偏置电阻该取多大了.再问：如何

在模拟电路中,第1张图称之为共用一个电源的共发射极的NPN的固定偏置放大电路.负载电阻RL应接在输出端V0与负极之间.假设：Ec=12V,Rc=4K,Rb=300K,VT的放大倍数β=40,通过该电路

三极管的导通条件：三极管的导通条件是：发射结加正向电压,集电结加反向电压.发射结加正向电压,就是基极和发射极之间所加电压Ube,是按箭头的指向加PN结的电压,即硅管加0.7V；锗管加0.2V.集电结加

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→R1→b→e→地；IC：VCC→R2→c→e→地；IE=IB+

发射结正偏,集电结反偏,二者都正偏了,集电结电流不再受基极电流控制也就是饱和导通

从电压上描述是：三极管发射结正向偏置,集电结零偏置或正向偏置；Ube≈0.7V,Ubc≥0V.从电流上描述是：基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：Ib*β>Ic≈Vcc/Rc,电源电压除以集电极电阻.

只要三极管基极的注入电流足够大,就能使三极管处在饱和导通状态.

减小基极电流.使VCE增加,三极管就由饱和导通转换成放大状态这种说法不对,VCE也起着重要的作用,VCE=VCC时就是截止状态,VCE接近0V时就是饱和状态,饱和时VCE有可能小于VBE,还要,要想放

0.7是管压降放大区和截至区的电压值不同你应该先看一下三极管的参数曲线

追问：不能一个PN节相当于一个二极管（举例:肖特基的0.3v左右其他的0.7-1.3那样）没有电势差PN结不能正偏!基极电流输入的大小能控制集电极输入的电流大小放大倍数90-120倍那样.饱和理当基极

基极限流电阻是用来在极端情况下保护管子不被烧毁用的.因此在上图中极限电流已经被R1限定,不会太大,并不需要R2.而下图的设计是存在缺点的,如果Q1电流过大（故障时）,R1上电压超过0.7V后,超过的电

你这个问题有些模糊,不应该脱离具体电路讨论.1.三极管集电极压降不是一个确定值,饱和状态可以达到0.2-0.3V,非饱和状态就没谱了,可以确定的是要比饱和状态大得多.2.第二个问题就有问题了,要使三极

正偏和反偏针对PN结而言,不止三极管.PN结有P,N两个区,所谓正偏就会指P区的电压比N区高,如果高出0.7V以后,PN结就导通,.反偏就是N区电压比P区高,反偏时PN结截止.三极管里面有两个PN结,

3AG22锗管是PNP的

晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电

从晶体管原理可知,三极管是由背靠背的两只二极管所组成的,但是,你简单的用两只二极管背靠背连接起来那是不行的,这点是由三极管工艺来决定的.简单地说,三极管就好比一个阀门,依npn管为例,如果在管子集电极

不管NPN或PNP其主要都是PN晶体接面的关系形成空乏区,这个基极就是掌控这两边空乏区开关当BE顺向导通,带动集极空乏区也流通,BE导通电流越大,空乏区越小,CE也因为B极电子活跃而相形导通作用文字这

在回答问题之前,需要先说说三极管的结构,这样方便理解.以NPN管为例,它是由三层半导体材料构成的（N型半导体材料+P型半导体材料+N型半导体材料）.在中间的P型半导体材料与两端的N型半导体材料之间,都

当三极管饱和时其CE极压差很小!大约0.2V!所以我们可以看成导通的开关!当三极管截止是CE极电阻很大!我们可以看着分开的开关!这些都是可以看成!但不是绝对值!当然可用!但注意电压!电流!还有就是极性