在G极悬空的条件下,增强型N沟道MOSFET的D极和S极之间的的电压比较的大,是不是会导致D与S的导通呢.

N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? 场效应管漏极电流怎么流的?是不是对N沟道的来说是电流从D流向S,对P沟道的来说是从S流向D? n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管) N沟道MOS管电路是G极用5V的信号控制D极的3.3V回路,可以吗?还是说G极电压一定要低于D极? 场效应管脚外观判断?带字的面对自己,不管N沟道或P沟道都是从左到右依次为：G（栅极）,D（漏极）,S（源极）吗?还有其他 比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... 求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装 ([\s|\\|/]*\d+)([\s|\\|/]*\d+)和([\s|\\|/]*\d+){2}的区别 IGBT与MOSFET的开关速度比较? N沟道MOSFET,按使用电位高低分为源和漏区,这是为什么,电流不是从高电位流向低电位吗,应该漏区是高的呀 简单电路问题,求解.一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 V