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---书上说:ZnO是直接带隙氧化物半导体,具有宽的带隙(3.3eV).既然是直接带隙,哪来的宽带隙

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/14 02:59:18
---书上说:ZnO是直接带隙氧化物半导体,具有宽的带隙(3.3eV).既然是直接带隙,哪来的宽带隙
RT.直接带隙就没带隙了,但又说是宽带隙.究竟我哪里理解错了?
直接带隙不是指没有带隙,而是指载流子不容易在能带间跳跃.
再问: 直接带隙不是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置么?带隙怎么来的?望大侠指点,谢谢!