作业帮看图第十六题,要求有解析啊
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：化学作业 时间：2024/05/21 12:50:21
看图第十六题,要求有解析啊
A．SiCl4的是分子晶体,SiC是原子晶体,熔点原子晶体＞分子晶体,所以SiCl4的熔点比SiC熔点低,故A正确；
B．晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个
Si原子通过12Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ,故B错误；
C．相对分子质量越大,范德华力越大,熔沸点越高,故C正确；
D．晶体硅中1个Si原子与周围的4个C形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-C键,每个Si-C键为1个Si原子通过12Si-C键,所以1mol晶体硅中含有Si-C键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为347kJ/mol×2mol=694kJ,故D正确．
故选B．
B．晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-Si键,每个Si-Si键为1个
Si原子通过12Si-Si键,所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ,故B错误；
C．相对分子质量越大,范德华力越大,熔沸点越高,故C正确；
D．晶体硅中1个Si原子与周围的4个C形成正四面体空间网状结构,每个Si原子形成4个Si-C键,每个Si-C键为1个Si原子通过12Si-C键,所以1mol晶体硅中含有Si-C键为1mol×4×12=2mol,拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为347kJ/mol×2mol=694kJ,故D正确．
故选B．