N沟道场效应管的Id电流是由沟道中（ )在漏源之间电场作用下运动形成的.

场效应管漏极电流怎么流的?是不是对N沟道的来说是电流从D流向S,对P沟道的来说是从S流向D? 简单电路问题,求解.一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 V n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置 N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? 比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极... p沟道mos管如图所示,求在Vd在小于5v的情况下 能正常工作的P沟道mos管的 型号 . 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管) 大家推荐一个导通电阻很小的P沟道mos管撒,N沟道也讲几个. N沟道MOSFET,按使用电位高低分为源和漏区,这是为什么,电流不是从高电位流向低电位吗,应该漏区是高的呀 N沟道增强型MOS管中假设使VGS大于开启电压,漏源两极的电压VDS开启电压,我不明白后面那两个式子是怎么得到的,我看的 P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通?