来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：物理作业 时间：2024/05/07 09:47:58
求半导体物理中的杂质电离问题
n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多少?
看刘恩科的书
再问： 我看过了 不确定对不对 能给我计算过程吗 急需 谢谢了
再答： 不知道你用的是第几版的，利用第四版65页3-54式可以求 而且标明了全部电离是在90%左右，我公式难打，你就自己看一下吧！
作业帮