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关于半导体物理中的能级问题.

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:综合作业 时间:2024/05/07 05:30:38
关于半导体物理中的能级问题.
我在某书看到半导体掺杂能级图如下.
如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级
那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什么Ea比Ev的能级高?
此外
图中的Ed(或Ea)能否看做掺杂的物质的Ev?
两位大哥,谢谢你们的回答,但是你们可能没理解我的意思(或者是我不理解你们的意思?)
Si是第三周期元素,其最外层电子是3s^2 3p^2
B是第二周期元素,其最外层电子是2s^2 2p^1
两者相差一个周期,如果B掺杂Si
那B产生的Ea应该比Si的Ev要低,因为Ea是B的最外层电子的能级(第二层),而Si的Ev是Si的最外层电子能级(第三层)
因为电子带的是负电啊,能级和电势是相反的,这个是根据电子画的能带图.
掺杂物质是没有能带的.因为数量少,形不成能带.