作业帮晶体管放大电路的图解法
来源：学生作业帮 编辑：作业帮 分类：数学作业 时间：2024/05/28 01:55:32
晶体管放大电路的图解法
固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.
但加上射极电阻（射极偏置）后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE).但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区,若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区该怎么办?该问题也同样存在于分压偏置中.
可以追加分数
固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.
但加上射极电阻（射极偏置）后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE).但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区,若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区该怎么办?该问题也同样存在于分压偏置中.
可以追加分数
楼主,我来说一下吧：
根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子,我大概能想出电路图的样子,一点也不矛盾,当有RE和没有RE时IB是不一样的,
有RE时,我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB
无RE时,我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB}
当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的,由于有没有RE的关系使得上两式与输入特性曲线交点不一样,当然也确定的特性曲线和负载线相交的点也不一样.及时在饱和区也应该能画的出来.
楼主,有什么问题再联系吧,我再看了一遍,感觉楼主有点表达不明,可能问题我哪里没理解,若是这样,再联系吧...
楼主若懂了,记得采纳,不是赞成,还有记得楼主自己说的追加分数啊
再问： 首先非常感谢你的回答，但你还是没回答我的问题。有RE（射极偏置）时的表达式能成立是因为有表达式IE=(Beta+1)*IB，而有IE=(Beta+1)*IB是因为做了晶体管工作在放大区的假设。若图形法最终显示负载线和特性曲线相交在饱和区，那岂不是和最初的假设冲突了？（刚刚假设在放大区的）
再答： 楼主，你的意思我懂了.你的意思是，在没有明确是否工作在饱和区和放大区就用所谓的图解法是不应当的，对吧。对于楼主的问题我有两种解答办法： 中心围绕：饱和区和放大区另一个区分条件，就是Ube
根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子,我大概能想出电路图的样子,一点也不矛盾,当有RE和没有RE时IB是不一样的,
有RE时,我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB
无RE时,我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB}
当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的,由于有没有RE的关系使得上两式与输入特性曲线交点不一样,当然也确定的特性曲线和负载线相交的点也不一样.及时在饱和区也应该能画的出来.
楼主,有什么问题再联系吧,我再看了一遍,感觉楼主有点表达不明,可能问题我哪里没理解,若是这样,再联系吧...
楼主若懂了,记得采纳,不是赞成,还有记得楼主自己说的追加分数啊
再问： 首先非常感谢你的回答，但你还是没回答我的问题。有RE（射极偏置）时的表达式能成立是因为有表达式IE=(Beta+1)*IB，而有IE=(Beta+1)*IB是因为做了晶体管工作在放大区的假设。若图形法最终显示负载线和特性曲线相交在饱和区，那岂不是和最初的假设冲突了？（刚刚假设在放大区的）
再答： 楼主，你的意思我懂了.你的意思是，在没有明确是否工作在饱和区和放大区就用所谓的图解法是不应当的，对吧。对于楼主的问题我有两种解答办法： 中心围绕：饱和区和放大区另一个区分条件，就是Ube