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电子空穴对复合的形式有哪些

来源:学生作业帮 编辑:作业帮 分类:政治作业 时间:2024/05/13 07:39:59
电子空穴对复合的形式有哪些
半导体中非平衡载流子的复合过程可以通过多种方式、即不同的复合机理来完成.这与半导体的能带结构紧密相关.
对于具有直接跃迁能带(导带底与价带顶在Brilouin区的同一个k处)的GaAs、InSb、PbSb、PbTe等半导体,导带电子与价带空穴直接发生复合时没有准动量k的变化,可较容易地发生,这称为直接复合(竖直跃迁)的机理,这时非平衡载流子的寿命就由此直接复合过程来决定.
而对于Si、Ge等具有间接跃迁能带(导带底与价带顶不在Brilouin区的同一个k处)的半导体,电子与空穴发生直接复合(非竖直跃迁)时将有动量的变化,则一般比较难于发生;但这类半导体如果通过另外一种因素的帮助,即可比较容易实现复合,这种起促进复合作用的因素往往是一些具有较深束缚能级(多半处于禁带中央附近)的杂质或缺陷中心,特称为复合中心.借助于复合中心的复合就称为间接复合(也称为Shockley-Read-Hall [SRH]复合),这时非平衡载流子的寿命就主要决定于复合中心的浓度和性质.关于非平衡载流子的复合,除了直接复合和间接复合以外,还有许多其它的复合机理,例如表面复合、Auger复合等.