要使晶体三极管具有放大作用,极电结与发射结的偏置电压如何连接

来源：学生作业帮编辑：作业帮分类：综合作业时间：2024/04/28 17:18:10

三极管的放大原理
以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
一般要求的工作条件：BE结正偏置,硅管一般放大时0.6-0.7V左右,实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现,CB结反偏,一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上.在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的.
原理
1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.
2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄,其多数载流子（空穴）浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线.
对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区.如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）, IB也就基本不变.就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的.
二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB.通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V.
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线.在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区：
1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区, IC ＝ IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC

晶体三极管具有电流放大作用的条件是发射结____,集电结_____,即____极电流能控制__极电流. 晶体三极管具有放大作用的内外条件分别是什么 17,晶体三极管工作在饱和区,发射结,集电结的偏置是( ) A:发射结正向偏置,集电结反向偏置 B:发射结反向偏置放大电路中与电阻并联的电容电压晶体三极管的放大作用不要复制在分压式偏置放大电路中,为什么发射结电压下降,基极电流会减小放大电路中,知道电源供电电压,其中三极管的偏置电阻如何求参数. 1.要使三极管起放大作用,在集电结、发射结上应分别加什么样的工作电压?以NPN型管为例画出电路图. 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏测量偏置电阻的阻值为什么要断开偏置电阻与放大器电路的连接、晶体三极管的电流放大原理放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是