Uce＝0.3V可推出晶体管

图呢.

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

由于UBE=0.7v,且UC>UB>UE,是硅管,直接接在分别接在晶体管的b,e,c极上,不知道答案满不

因为这时晶体管处于饱和状态,集电结和发射结都正偏,则很小的集电结电压变化即可引起很大的集电极电流变化.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

电压是由偏置电路中的电阻确定的,因而不随晶体管变化,而基极电流Ib则与晶体管等效电阻有关,故变化.建议参考童诗白、华成英《模拟电子技术基础》再问：Ic不是随Ib变化的吗？再答：Ic也会变的，只有电压是

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

当Rb2短路时,三极管处于饱和状态,其发射极输出Ue=12V-0.7V=11.3V,集电极输出为Uc=Ue+0.3V=11.6V,相当于一个输入电压为12V但输出电流被限制在2μA以内的的射极跟随器.

Ic=2mA,Vb=3.6V,Ib=0.02mA,RB2=3.6/0.2=18K,RB1=8.4/0.2=42K再问：0.2ma怎么来的，0.2=10*Ib，我想知道为什么是10倍的Ib，我就是卡在这

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

肯定可以啊再问：Ube呢？再答：放心吧，都可以的

极限参数决定.当Uce=10V,Ic如果大于10mA,那么Pcm就会大于100mW.第二项超过了极限电流.第三项超过了极限电压.你的明白!

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

因为三极管工作在放大状态时,基极和集电极的电流满足电流放大关系：Ic=βIb,因此只要工作在放大状态,基极电流不变时,即使增大Uce,Ic仍然是满足电流放大关系的,即Ic基本不变.

1k左右的电阻就可以,这和你电源的功率有关,H桥最好是再加一级驱动即：由场效应管组成H桥,由三极管控制场效应管这样可以控制较大功率电机不用担心三极管会被自感电压击穿的问题再问：9012PNP管，其他的

1.大于1V是经验值.可以是0.9V,0.8V,但是这不符合人的习惯思维.至于本质上的解析你就要学学半导体器件了,模电书上是这样解析：实质上对于确定的Ube,当Uce增大到一定值以后,集电结的电场已足

这个很容易理解,为了从本质揭示道理,从基本原理说起,首先楼主知道两个常识：1,三极管导通后,有一放大效应,集电极电流Ic=β*Ib,这个本质原因就是发射极参杂了大量的多子,也就是自由电子,在适当的外界

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

这个管子损坏,答案D原因：PNP管子工作在饱和区和线性区时,其发射结电压降Ueb≈0.7V；管子处于截止状态时,Ueb≤0.3V从所给数据判断,此时Ue=6v,Ub=2VUeb=4V远远大于上述两种值

当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,

首先纠正你的说法：“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce.是集电极到发射极的电压.你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立.Rc两端