UCE等于0.4V

对于图a；∵发射极电流=ic+ib=ib*β+ib=ib*(1+β)；∴ib*Rb+0.7+ib*(1+β)*Re=12(v)∴ib=（12-0.7）/[Rc+（1+50）*Re]=（12-0.7）/

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

由于UBE=0.7v,且UC>UB>UE,是硅管,直接接在分别接在晶体管的b,e,c极上,不知道答案满不

A、若R断路，电路中没有电流，灯不变，由于CDE段电路完好，则由欧姆定律知UCE=0，与题不符，故A错误．B、若L断路，电路中没有电流，灯不变．AC段电路完好，电压为0，DE段电路完好，电压为0，则C

C饱和.对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为：发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>U

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

等于浸没进水的那部分体积

Ic=2mA,Vb=3.6V,Ib=0.02mA,RB2=3.6/0.2=18K,RB1=8.4/0.2=42K再问：0.2ma怎么来的，0.2=10*Ib，我想知道为什么是10倍的Ib，我就是卡在这

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

极限参数决定.当Uce=10V,Ic如果大于10mA,那么Pcm就会大于100mW.第二项超过了极限电流.第三项超过了极限电压.你的明白!

12-3=9V9V/(5+3)=1.125mAUB=0.7+3*1.125=4.075V

题目有问题,应该是R短路.一般题目是不考虑电压表的内阻的.这种题目硬是说没有出错的话就是要考虑电压表内阻了.但是电压表内阻一般都是很大,而这里R1和L的电阻加起来要有电压表内阻的1/6.也有点不符合常

理论最大输出功率P0max=aU^2/8/RLa为小于1的一个系数,与Re和功率管内阻有关.一般取0.85.所以,最大输出功率约为6W.功率管要求:若静态电流为I0,要求P(CM)>0.2P0max+

1k左右的电阻就可以,这和你电源的功率有关,H桥最好是再加一级驱动即：由场效应管组成H桥,由三极管控制场效应管这样可以控制较大功率电机不用担心三极管会被自感电压击穿的问题再问：9012PNP管，其他的

集电极电压大于发射极电压就可以判断为NPN管,PNP管是发射极电压大于集电极电压的.NPN管基极比发射极电压高于0.7V为饱和导通状态,低于0.5V为截止状态,所以基极电压比发射极电压高0.6V伏就可

1.大于1V是经验值.可以是0.9V,0.8V,但是这不符合人的习惯思维.至于本质上的解析你就要学学半导体器件了,模电书上是这样解析：实质上对于确定的Ube,当Uce增大到一定值以后,集电结的电场已足

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

问的好这个要结合三极管的结构和工作原理来分析以NPN型管为例三极管工作与放大区时要求发射结正偏集电结反偏在发射结正偏电压的作用下,发射区中的多子电子流向基区,一部分在基区和基区的空穴复合形成基极电流,

ib=（10-0.7）/20=0.465maic=（1+50）*0.465=23.715ma三极管饱和失真,近似认为uce=0或0.3icmax=10/2=5ma再问：为什么饱和失真就近似认为uce=

UCE不可能是负2伏,应该说UCE不可能是负压,直流通路的情况下,IB=（2V-0.7V）/20k=65uA,IC=βIB=3.25mA,UCE=10-（IC*2k）=3.5V