ttl电路

COMS电路输入端是场效应管,他的输入阻抗相当大,如果输入开路机会感应很高的电压将管子击穿.TTL电路内部是普通的PN结做的,他的输入阻抗较小,如串大电阻输入信号就不够

从原理图上看,如TTL与非门的输入端是NPN三极管的发射极,三极管的基极有电阻接电源VCC,当三极管的输入端悬空时,三极管的基极到发射极无电流,三极管截止,通过放大反相使得输出为低电平.所以输入端悬空

实际电路中,与非门、与门闲置的输入端管脚应接到高电平（即通过电阻接到电源正电压）,或非门、或门闲置的输入端管脚应接到低电平（即通过电阻接到电源地）.

TTL集成电路中输入端若悬空（什么都不接）代表此输入端输入高电平（逻辑1）,但在实践中,由于工艺、玷污等原因未接的输入端很容易碰到其他信号线,导致输入错误信号,所以建议楼主在设计电路的时候根据电路要求

TTL是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的TTL信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样.所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平

TTL是晶体管电路,比CMOS速度快,功耗大.这种电路很常用,因此他的输入输出的电平也成了一个电平的标准,电平标准主要就是规定输入输出的电平高低范围.TTL输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V,

正解A、D【解析】A中是个与非门,TTL门电路悬空相当于1（CMOS门电路悬空相当于0）,所以A中相当于“A与B与1”再非,就是F.故A正确.B中是个与门,其中有个输入是0（接地,地电平）,任何逻辑与

1、CMOS与非门电路多余输入端的处理与非门电路的逻辑功能是输入信号只要有低电平．输出信号就是高电平．只有当输入信号全部为高电平时．输出信号才是低电平.所以某输入端输入电平为高电平时．对电路的逻辑功能

measabbr.(=measurable,measure)v.测量,量MEAs:MultilateralEnvironmentalAgreements中文全称:多边环境协定MEAS:MissionE

取决于你的产品应用,一般来讲,TTL电路和CMOS电路对静电的要求一样,都是满足industry级要求,ESD等级要求通过2000V(HBM)和200V（MM）再问：有没有什么资料可以查询呢？可以提供

直接选用集电极开路（OC）输出的TTL器件,输出端接上拉电阻到CMOS电源为好.如图电路不必认真计算：Rb=5KΩ,Ic=Vdd/Rc=2~3mA即可.

逻辑电路的两种状态啊,0或1,输入输出反相,那么输入0则输出1,输入1则输出0

提问的网友需要注意的是,这部分电路是从整个电路中抽出来的,只要一个5V电源供电就可以,其他加的都是信号电压.当提到V1处给高电平时你可以视作V1处接了一个5V电压,低电平时可视作V1接地（或接0.3V

多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子,它有两种重要的作用：（1）提高电路速度：因为当电路由开态转变为关态时,多发射极晶体管即首先进入过饱和状态,然后才驱使其后面的晶体管截止,故多发射极晶体

CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V）,TTL只能在5V下工作CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差CMOS功耗很

功耗TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大

这是个与非门电路.T1有三个发射极：A、B、C,其中只要有一个发射极低电位T1就导通,T1导通时C1为低电位；这时T2截止、T5也截止（T5是依靠R3上的电压来控制导通和截止的）；由于T2截止,C2处

TTL器件内部是三极管,是电流驱动型器件,输入、输出必须有电流出入；CMOS器件内部是MOS管,是电压驱动型器件,不需要电流驱动,所以是理想器件,不会影响电路外围的R、C参数.TTL输入端有电流流出,

Q2和Q3相当于“并联”的两个三极管,只有A、B都为高电平时,Q4基极才是高电平.Q5部分画错了.再问：嗯，

一般TTL集成电路在选择外延层电阻率上,主要考虑要满足击穿电压的要求.集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上,有时击穿电压的要求比较高些,所以电阻率要大些,不同的运算放大器或许有不同的要求,（比如集电