重掺杂半导体概念 方法 说明 什么是

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/15 11:44:56
什么是半导体二极管?

二极管是最常用的电子元件之一,他最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的,其原理都很简单,正是

什么是半导体芯片?

在半导体片材上进行浸蚀,布线,制成的能实现某种功能的半导体器件.不只是硅芯片,常见的还包括砷化镓,锗等半导体材料.

说有半导体的重掺杂,这个重有什么标准么,比如说掺杂浓度到那个量级

不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了再问:有些不懂哎不能有个大致的浓度范围吗再答:刘恩科《半导体物理》书里应有详细的介绍,有这时间看看书就都知道了

制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂?

按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.

半导体是什么概念?

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体.半导体具有一些特殊性质.如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利

什么是半导体,超导体,绝缘体?

半导体、超导体、绝缘体知识讲解一、半导体1.概念:导电性能介乎导体和绝缘体之间,它们的电阻比导体大得多,但又比绝缘体小得多.这类材料我们把它叫做半导体.2.半导体材料:锗、硅、砷化镓等,都是半导体.3

为什么高掺杂的半导体耗尽层窄

这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主

半导体物理中的重掺杂的概念?

掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.

半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?

很多种,扩散啊,离子注入啊,你去找找半导体工艺的书看吧,很详细的

半导体晶体管PN结掺杂疑惑

半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子(如硼)使之成为P型半导体,或掺入五价的原子(如磷)使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的

本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求

1)首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

什么是下定义的说明方法?

下定义:用比较简洁的语言解说事物的性质、特征等.一般表述为:“XX是XX”或“XX叫做XX”.

什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂,

就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.

对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试加以定性分析

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素:一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降(T的负二分之三关系);但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大(T的

什么叫半导体掺杂技术?

什么是掺杂半导体?相对而言,本征半导体中载流子数目极少,导电能力仍然很低.但如果在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强.由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类.N

本证半导体的导电能力为什么不如掺杂半导体

本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷

掺杂半导体导电性随温度变化如何改变

一般半导体导电性都会随温度升高而显著增强,这是因为提高温度,会有多得多的价带电子获得能量而到达导带.

半导体掺杂有什么作用?

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入