p型和n型

N型是电子导电,P型是空穴导电.单晶硅中掺磷是N型,掺磷越多则自由电子越多,导电能力越强,电阻率就越低；单晶硅中掺硼为P型,掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多,导电能力越强,电阻率就越低.

根据加磁场后形成的电场方向判断半导体的类型.由于空穴和电子带电性不同,给一块未知类型的半导体施加恒定的电流,半导体内的空穴运动方向与电流方向相同,电子运动方向与电流方向相反.再给这块半导体施加一个垂直

二极管的制造工艺并不是想象中的简单的把P型半导体盒N型半导体结合在一起.或者说,二极管中的P型半导体和N型半导体是不对称的.有下面两种情况,这两种情况得到的二极管就分别对应N型和P型二极管在一片P型硅

化学元素周期表中3主族元素为受主杂质,5主族为施主杂质.半导体中受主杂质占主导地位为P型,施主杂质占主导地位为N型

P型n型是说不同的导电类型,他们的导电机制不同,p型是空穴导电,n型是电子导电,所以这是导电机制决定的,而导电机制只分两种,所以没有什么其他字母.硅中掺磷是n型,掺磷越多则,自由电子越多,导电能力越强

双极半导体是指半导体器件中包含p型和n型两种半导体.P型半导体指半导体中掺入三价元素杂质,如硅中掺入杂质硼,这样的半导体中多数载流子是空穴；N型半导体指半导体中掺入五价元素杂质,如硅中掺入杂质磷,这样

n型半导体就是在单晶硅中掺入5族元素杂质,多子为电子,p型半导体是掺入3族杂质,多子为空穴.更深入的理解是通过改变费米能级使得自由电子或空穴的占有率提升,从而改变半导体导电性能.

1硅或锗晶体本身只电中性的,掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的.原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的,原子核的电量为+3）.所以掺杂后仍然是电中性2掺入入五价元素后形

P型半导体中空穴导电,空穴带正（Positive）电荷；N型半导体中电子导电,电子带负（Negative）电荷；仅就我所知的常识做答,不正确的地方见谅.

要区别N型半导体和P型半导体,方法很多.简单而直接的快速方法就是采用热探针法（由热电动势的符合来判断）；复杂一些的是采用Hall效应测量法（由Hall系数的正负来判断）.

最简单的方法是热探针法,采用一个万用表加一个热探针即可.复杂一些的是Hall系数测量法等.

【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的“施主”杂质.所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能.例如,半导体锗和硅

positive正的,因为空穴是正电荷导电negitive负的,因为电子是负电荷导电

P-positive型是阳性掺杂的是吸电子的N-negative型是负掺杂的是供电子的

晶体管中加入了微量元素,会破坏原晶体内的电位平衡,在晶体内部产生空穴和电子的对流,但是记住,这是在半导体内部产生这种对流,进而产生内电场,生成电位差.但对于整个的晶体来说,中和一个电子必占用一个空穴,

p主要加B硼n主要加p磷再答：再答：���������

问题问的不对N型和P型禁带宽度可能一样,也可能不一样半导体的禁带宽度是针对不同半导体材料而言的（不是掺杂类型）,相同的半导体材料不论什么类型掺杂,其禁带宽度都是一定的.不同材料的半导体之间才有禁带宽度

N型半导体的多子是电子,少子是空穴P型半导体的多子是空穴,少子是电子

N型半导体的载流子是电子,参入的杂质一般是磷；P型半导体的载流子是空穴（就是一个原子失去电子后的状态,但是空穴只是对应电子的一种叫法,并没有空穴）,参入杂质一半是B.相同点就是半导体的那些特点喽

P型和N型半导体都只涉及到无机化学,只有一种意思,不管在有机化学还是在无机化学中.P型半导体：在本征半导体中掺入了硼,铝这类元素形成.N型半导体：在本征半导体中掺入了氮,磷等元素.