作业帮P型半导体的多数载流子是空穴,因此带正电
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/21 06:20:04
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.
这应该是跟他们的带电性相关的,电子带负电（negative）,所以用N表示,空穴带正电（positive）,所以用P表示.
既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是
不管是N型还是P型还是本征半导体,稳定后其中的空穴和电子个数是相等的.
彼此彼此,空穴其实就是自由电子跑掉后留在原地的正电荷,空穴的移动其本质就是自由电子的移动,只是一种等效的概念一般的把P型半导体和N型半导体配合起来组成三极管使用
电子与空穴的定向运动都会引起电流,同时也要考虑PN结的电子空穴复合. 例如给出的下图,红黑箭头碰撞的地方表示电子空穴复合. &nbs
N型半导体的多数载流子是电子.
你好.PN结形成的空间电荷区是在扩散运动过程中形成,由于两边空穴和电子复合,形成中间PN结没有了载流子,只剩下PN自身的固定正负离子,也就形成了空间电荷区,内电场.内电场在扩散中越来越大,大到一定程度
__n___型半导体中的多数载流子是自由电子.2.二极管的符号是_____D_____,主要特性是__单向导电性_.
选择题：1B2D3D4C5题目不完全,需告知基极Ib电电流数值（Ic=Ib×β）6C7B8D9B10C填空题1（1）差模（2）共模输入（3）差模输入（4）共模输入2（5）放大（6）截止（7）饱和（补充
空穴呗正负粒子貌似是堆在壁垒区的吧
空穴是一种等效,当价带中的电子被激发到导带以后,价带中的电流可以用空穴载流子的运动来等效,所以不存在空穴跳出半导体的情形.简单来说,当存在电流时,负电极一定会向半导体注入电子,移动到负极的空穴能够被从
因为N型半导体,主要是在硅原子中掺杂了V族元素,V族元素外层的四个电子会和硅原子外层的四个电子形成共价键,这样多出的一个电子就会挣脱原子核的束缚变为自由电子.而共价键中的电子由于热运动也会脱离共价键的
先画一幅图,典型的PN结的,电子与空穴图,左边N型区,右边P型区,中间是耗尽层,先搞明白了它们的运动关系,再闭上眼就会很容易想象到了
P型半导体整体显电中性你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的（即这些空穴脱离了碰原子的束缚
AA半导体不带电啊,载流子只是说明这种材料导电是流动的粒子
本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.
问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方：以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子