作业帮PN结的势磊宽度
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/26 00:44:55
当然是科学家了O(∩_∩)O~
PN结的宽度一般为0.5um,数量级即10^(-7)m
太阳能电池是利用含有杂质硼的硅(P型硅)为衬底,扩散入N型气体(磷).因为硼有多余的空穴,而磷有多余的电子,两者形成一定的浓度差,所以就会互相往对方里面跑,等达到一定程度后,也就是饱和了,就会停止.这
温度升高时,PN结的正向电流增大、正向压降降低,即正向电流具有正的温度系数,正向压降具有负的温度系数；这主要是由于PN结的势垒高度降低所造成的结果.并且反向电流随着温度的升高也增大,这主要是由于两边少
第六个大问题中第2个问题
4价的硅和3价的硼形成共价键的时候（N区）,会多出一个电子,而和5价的磷形成共价键的时候,会产生一个空穴（P区）,这时,由于电子的密度不一致,会使电子的运动方向由高密度指向低密度,这是外加的电势引起的
这是别人的回答：电场强度等于：掺杂浓度*宽度（e=nd*w）电势差等于：电场强度*宽度所以：电势差等于掺杂浓度*宽度的平方.产生的电势差一样时,高掺杂的掺杂浓度大,所以耗尽层宽度窄.我觉得也可以这么理
采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.
正向偏置时呈低阻导电状态,反向偏置时呈现高阻近似不导电状态.理想条件下认为PN结具有单向导电性——正向偏置导通,反向偏置截止
pn结Fermi-level分布、势垒宽度与构成结的材料有关,不同的pn结是不同的,一般来说费米能级的调制是通过对半导体材料进行掺杂实现的
1948年,威廉·肖克利的论文《半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论》发表.
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是neg
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结.不加电压时,PN结呈电中性.
1、正向导通,反向截止!当正向电压达到一定值时（硅管0.7V,锗管0.3V）左右时,电流随电压成指数变化.与电阻相比它是具有非线性特性的,因此它的特性曲线一般是非线性的.2、有两种载流子,即电子和空穴
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄
概念上的问题首先,没有扩散能量这个概念,扩散是一种自然进行的动作,最终会达到动态平衡.而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度.而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响,那就是多子的扩散和少子的漂移
单向导通性
pn结势垒有一定的高度和一定的厚度,这完全由其中的空间电荷密度及其分布来决定.一般,空间电荷区可以采用所谓耗尽层近似（即认为空间电荷完全由电离杂质所提供的一种近似）.通过求解耗尽层近似下的Poisso
你所说的截止区是不是耗尽层啊?我们学的时候叫做耗尽层,首先扩散可以增加耗尽层,所谓扩散是正电荷由p区到n区,负电荷反之,是由浓度差产生.漂移电场产生的,在耗尽层里面,n区正性,把n区少子（正电荷）推回