作业帮pn结正向压降与温度关系中的一些特殊现象
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/26 06:40:41
pn结在未加电压前,就有扩散运动,且扩散运动在pn结两边形成内电场,该内电场抑制扩散运动,从而达到扩散平衡.此时,你加入正向电压（而不是电流）,达到一定的数值将抑制内电场,内电场重新变化,电荷带变小,
浓度差导致扩散运动,电场导致的是漂移运动.正向偏置时在外场的作用下漂移加强扩散减弱,使得中间的耗尽区宽度减小.你也可以认为是外场抵消了内场再问：那正向偏置时的电流到底是因为扩散运动产生的还是因为漂移运
可以这样来理解,（1）P型半导体体内空穴浓度大,N型半导体电子浓度大,当P,N型半导体接触时,就会有电子空穴对的复合.P型（掺三族元素）,N型材料（掺五族元素）本来是中性的,P型部分区域的空穴被复合后
平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着
电子导电的N型与空穴导电的P型半导体结合面,叫做PN结,由于N型半导体是电子导电,而电源的电子是从负极向正极流动,所以正极接P,负极接N,PN结导通,电流会形成回路,称结外加正向电压.可以用形象记忆法
光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子
因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴
低温好,高温影响测量结果PN结正向压降与温度关系的研究从二十世纪六十年代起开始发展的PN结传感器具有灵敏度高、线性好、热响应快和体小轻巧等特点,尤其在温度数字化、温度控制以及微机进行温度实时讯号处理等
低温好,高温影响测量结果
首先理解pn结形成后的电荷状态吧.在电荷区靠P区的是聚集负电荷,在电荷区靠N区是聚集正电荷.此时,电荷区的内部电场方向是由N区指向P区.当PN结正向偏置时,即给PN结加由P区指向N区的正向电压,那么这
热敏电阻吧有正温度系数和负温度系数2大类实际应用中没有用二极管做感温元件的
将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导
加正向电压是导通状态,加反向电压是阻断状态.
1.导通,截止,单向.5.共发射极,共集电极,共基极.6.等效电路法,图解法.7.交越,甲乙类.9.小,大,小.10.电容,变压器,直接.
一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.
PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.
P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!
当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向