PN结正向偏置是将P区接电源

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

浓度差导致扩散运动,电场导致的是漂移运动.正向偏置时在外场的作用下漂移加强扩散减弱,使得中间的耗尽区宽度减小.你也可以认为是外场抵消了内场再问：那正向偏置时的电流到底是因为扩散运动产生的还是因为漂移运

首先应该理解PN结的形成,PN结是由于电子和空穴从高浓度向低浓度扩散形成的,即P型区的空穴向N型区扩散,N型区的电子向P型区扩散.最后形成空间电荷区空间电荷区的分布是靠P型区的是电子,靠N型区的是空穴

p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P

p区接正极,n接负极,内电场约为0.7v再问：载流子的什么运动加强，形成较大的正向电流？再答：载流子的扩散运动加强，漂移运动减弱

电子导电的N型与空穴导电的P型半导体结合面,叫做PN结,由于N型半导体是电子导电,而电源的电子是从负极向正极流动,所以正极接P,负极接N,PN结导通,电流会形成回路,称结外加正向电压.可以用形象记忆法

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.

高单向导通性正向,反向越大小,大脉动,相同并3V偏置电阻一半

1、高2、单向导电性3、反射结正偏集电结反偏5、基集电流集电基电流6、单向脉动7、并8、正向9、静态参数会的我都已经回答了,有几个不会,不好意思

首先理解pn结形成后的电荷状态吧.在电荷区靠P区的是聚集负电荷,在电荷区靠N区是聚集正电荷.此时,电荷区的内部电场方向是由N区指向P区.当PN结正向偏置时,即给PN结加由P区指向N区的正向电压,那么这

P区,N区

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.P型半导体（P指positive,带正电的）：由单晶硅通过特

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

你所说的截止区是不是耗尽层啊?我们学的时候叫做耗尽层,首先扩散可以增加耗尽层,所谓扩散是正电荷由p区到n区,负电荷反之,是由浓度差产生.漂移电场产生的,在耗尽层里面,n区正性,把n区少子（正电荷）推回

很小,导通,很大,截止

这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。

施加稳定的外加电压,pn结的状态也是稳定的,耗尽区宽度稳定在一个值,不会出现内部的空穴,电子随时间一直不断减少的情况,这是因为,pn结所连接的外部电路（电源）会源源不断补充载流子,这最终达到的是一个动

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!