PN结未加外部电压,
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/03 05:07:45
PN结只能算个非线性电阻吧?又不是储能元件,没外部电压当然没有电流.
温度升高时,PN结的正向电流增大、正向压降降低,即正向电流具有正的温度系数,正向压降具有负的温度系数;这主要是由于PN结的势垒高度降低所造成的结果.并且反向电流随着温度的升高也增大,这主要是由于两边少
PN结正偏压增大时,耗尽层变窄,电容自然增大了,c=Xx/d,d变小了再问:电容公式我知道,我是想问耗尽层电荷量变小和势垒电容增大是否矛盾?再答:不矛盾,你用画出来,然后分析。。。。再问:这...还是
首先你的理解是有偏颇的,首先导体之所以会导电,是因为导体中的电子运动.电源只是加了一个电场不会放出电子,电子是在导体中的.再说PN结,N区接正极P区接负极,这样内电场与外电场方向就会一致,从N到P,这
齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中,当PN结的掺杂浓度很高时,阻挡层很薄,载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小,因而不容易发生碰撞电离.但是,在这种阻挡层内,只要加上不大的反向电压,就能建立很强
平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着
采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.
你若没有专门仪器的话,先准备最大电压超过被测管子的可调电源,足够阻值的可调电阻,足够量程和精确度的电压表、电流表.将可调电阻设置为10K以上,将电源串上电阻、电流表接到PN结上,P端为负.电压表按极性
光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子
未加外部电压,没有电流
因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴
PN结本身是无源元件,没有外部电压,没有电流通路,何来结电流?答案应该是结电流没有变化且等于零.
正向电流正常通过,反向会出现一个壁垒阻止电流通过.反正就是PN节一边只能存在正电荷一边只能存在负电荷,正负相吸就过去了,正正相撞就过不去了.具体语言自己组织吧.
1.PN结未加外部电压时,扩散电流(C)漂移电流.A.大于B.小于C.等于D.视情况而定2.集成运放的差模输入信号是差动放大电路两个输入信号的(B).A.和B.差C.比D.平均值3.工作点稳定电路输入
当二极管两端还有明显压降时PN结处于“反向击穿”状态,有齐纳击穿和雪崩击穿但是若无明显压降,此刻二极管已损坏
我学到的知识是PN不会随电压的大小而发生宽度变化,只会在内部形成势能壁垒变化,这个变化才会导致PN结的导通或截止.
二极管有几个重要参数,一个:最大整流电流,当流过二极管的电流大于最大整流电流时,二极管容易被烧坏;另一个:最高反向工作电压,表示二极管正常(长时间),反向工作时两端能够承受的最高电压,一般为反向击穿电
扩散运动是指在热运动作用下,分子系有高浓度向低浓度扩散的趋势.而在外电场作用下电荷有定向移动的趋势.你仔细分析这两种趋势,不难得出结论.需要指出的是总的结果是两种作用综合而引起的,不要混淆就行了.我想
P区是空穴导电,加上相反电压,相当电子从P区进入,电子进入P区会填入空穴,使导电微粒(载流子)减少,PN结加宽,在PN结中,N区的自由电子填入了P区的空穴,使得PN结中导电粒子很少,电阻很大.P区电子
PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.