pn结扩散电容的计算公式

C=Q/U就是两端的电压增加1V所增加的电量

一般说来,在反向偏压或小的正向偏压下,p-n结以势垒电容为主,只有在大的正向偏压时才以扩散电容为主.

1.所谓电容,就是容纳和释放电荷的电子元器件.电容的基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用.另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由

楼主,不光是权威的书,我想任何一本关于半导体物理的书应该都是这样讲述PN结的,这个应该不难理解,载流子不仅仅是受到了电场力才移动,浓度差也是载流子移动的另一个因素.物质从高浓度向低浓度的地方扩散,应该

如果是课本上的计算就简单：C=Q/UQ为电容器极板所存的电荷(K)U为电容两端电压(V)C是电容量(F)如果是计算电机的启动电容,就按——单相电容式电机电容量的简单计算：C=I'×10^6/(2πfU

设电容C1和C2串联Q1=C1*U1Q2=C2*U2C1的负极和C2的正极相连电荷量为零：-Q1+Q2=-C1*U1+C2*U2=0(1)式设总电压为U则U=U1+U2(2)式由（1）（2）两式联立解

扩散运动是分子的热运动的宏观表现形式,载流子的浓度差导致其向浓度低的地方扩散

在交流电路中电容中的电流的计算公式：I=U/XcXc=1/2πfCI=2πfCUf：交流电频率\x0dU：电容两端交流电电压\x0dC：电容器电容量\x0d在直流电路中电容中上的电量：Q=CU,如电容

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

是扩散电流与漂移电流的平衡吧,肯定有啊,PN结空间电荷区是耗尽区,没错,但不代表耗尽区里面就没有载流子（只是说载流子的浓度少了,总的电荷的代数和不为零,所以产生了净电荷,才叫空间电荷区,而载流子浓度相

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因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.

二极管反向的时候,PN是不导电的,而PN结两边的N区和P区是导电的,这样两个导电区就成了电容的两个电极,PN结就成了介电材料.三极管的PN结电容效应原理和二极管是一样的.PN结的电容效应将导致反向时交

电容电流的计算不是很准确,只是估算,要想确切掌握电容电流的大小,实测是最好的方法；电容电流的估算方法可见下图公式,电容电流在大小与电缆的截面关系不是很大,但与电缆的长度关系重大；在计算时一定要将系统内

Pmn=n!/(n-m)!是这样从n个数里找出m个做排列,第一个数时有n种选择,地二个数时有n-1个选择,第三个数时有n-2个选择,依次类推第m个数时有n-m+1种选择,即Pmn=n(n-1)(n-2

扩散运动是指在热运动作用下,分子系有高浓度向低浓度扩散的趋势.而在外电场作用下电荷有定向移动的趋势.你仔细分析这两种趋势,不难得出结论.需要指出的是总的结果是两种作用综合而引起的,不要混淆就行了.我想

P区参入的杂质得到n区扩散来的电子后,形成的固定的负电中心

+P-N-----------＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带负电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结．所

根据我的理解,漂移是指在电场作用下的运动,扩散是指在浓度差驱使下的运动.在PN结中,P区由于富含空穴,N区富含电子,电子向P区扩散,于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子,而N区因电子转移到P区变成空