作业帮PN结少数载流子影响温度稳定性
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/03 03:39:01
温度升高时,PN结的正向电流增大、正向压降降低,即正向电流具有正的温度系数,正向压降具有负的温度系数；这主要是由于PN结的势垒高度降低所造成的结果.并且反向电流随着温度的升高也增大,这主要是由于两边少
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.
就象能容纳10个载流子,9个电子,1个空穴(可以容纳一个电子),它们是共存的
影响最大的应该是Icbo,它就是少数载流子形成的从c极区流向b极区的反向电流,它会影响基区中多子的复合,该电流在放大电路中会严重影响放大倍数.Icbo随温度按指数变化,导致放大倍数随温度呈非线性变化.
你搞错了吧,太阳能电池中,在pn结内建电场的影响下,n区空穴通过pn结向p区移动,p区电子通过pn结向n区移动,所以是两种载流子
书上应该是说闯进空间电荷区或空间电荷区附近的少子会受到电场力的作用而漂移到对面.如你所说,一旦N区的空穴进入空间电荷区,那么空穴受到向P区的电场力,肯定是向P区漂移的,至于你说的正离子的排斥力,那么你
电子与空穴的定向运动都会引起电流,同时也要考虑PN结的电子空穴复合. 例如给出的下图,红黑箭头碰撞的地方表示电子空穴复合. &nbs
摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数
因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.
CA(少数载流子浓度由ni^2/N,决定,N是掺杂浓度,也就是多数载流子浓度,ni为本征载流子浓度,随温度升高而增大)B(其他几种接法,电源噪声都可以通过负载电阻耦合到输出)
无论PN节加什么偏压,载流子都要参与漂移运动和扩散运动,只是看哪种运动占主导.当PN节加正向偏压时,P正N负,耗尽层减小,N区的电子在电场作用下漂移到P区,P区的空穴漂移到N区.同时,由于P区的空穴浓
1.thefaster,thebetter2.assoonaspossible3.thesoonerthebette
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PN结形成后,交接面上电子和空穴大量复合,形成一个耗尽层.此时N区由于丧失了电子呈正离子效应,显正电,P区呈负电.因而建立了从N区指向P区的内建电场.此时电子在电场力作用下,向N区移动,而相反空穴向P
好亲切的数电哦.温度升高,载流子相对数目增加,需要更小的电压就更击穿,很正常啊.相当于电阻减小了嘛
根据我的理解,漂移是指在电场作用下的运动,扩散是指在浓度差驱使下的运动.在PN结中,P区由于富含空穴,N区富含电子,电子向P区扩散,于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子,而N区因电子转移到P区变成空
是相对的,这种现象多出现于半导体内,当一块本征半导体的两个不同部位分别不同参杂后就会在结的附近出现一面是质子另一面是电子的集中堆积情况,堆积质子的一方由于大面积缺少电子,那么电子便是少数载流子,原来质
空间电荷区存在一个反向电场'载流子在其中是难以平衡的,所以少.至于载流子肯定在原来p区和n区,电荷守恒的再问：内建电场是阻止载流子继续扩散的。空间电荷区内载流子的扩散和漂移运动相等。所以存在一个动态平
本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下