pn结反向电流,有光照和无光照情况下哪一种大

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/02 22:30:23
PN结的反向电流,和反向电压,可以消除吗?

没有反向电压了,反向电流就没了,在高压条件下你想让它没电压是绝对不可能的,你想要反向电流小倒有可能,想一点也没有,现在还没人做得到.

PN结反向击穿后的电流是不是很大?

你想问什么的?是普通二极管还是稳压二极管,至于电流大不大你应该好好的去看看它们的伏安特性曲线

大学物理实验里太阳能电池伏安特性测量中,为什么无光照时Isc和Voc不为零?

抽象的说这是光伏器件的“暗I-V”特征,具体如下(关于你的问题在第3点和第4点):光伏电池的核心是p-n结(需要了解半导体物理)部分,也就是在p型材料和n型材料界面存在载流子扩散运动,该扩散是由于载流

为什么有光照植物的呼吸作用强,无光照植物的呼吸作用弱?

有光的条件下,植物可以进行光合作用,而光合作用可以产生氧,这部分氧优先供给植物的呼吸作用所需,而没有光照,植物不进行光合作用,进行呼吸作用的氧只能通过叶孔吸收,比起有光条件下要少许多,于是就显得无光下

把普通植物在纯氧和纯二氧化碳环境中(有光照,水)植物会不会存活?

首先,其他生存条件应该得到满足纯氧环境:由于无法进行光合作用,生长停止,但不影响生命的存在(这点与动物有本质的区别).随着机体的老化,最终走向死亡,估计这个过程需要以月来计算.如果是常绿植物,甚至可以

PN结的单向导电性指 ,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称

正向导通、反向截止;反向击穿答题不易,如有帮助请采纳,谢谢!

pn结反向饱和电流到底是怎么形成的,它的大小跟哪些因素有关?

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大,势垒抬高,耗尽层变宽,所以被反向抽走的电子和空穴就会增加,所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定.但是对于硅pn结,反向饱和电流一般在10e-14A~10

pn结的反向电流是怎么回事

因为半导体本身也是能够导电的,PN结的反向电流其实就是半导体的导电电流罢了.不过导电性能非常差,不过比一般的绝缘体导电性能还是要强的.反向电流是毫安级别的.而导通的电流一般是用A作为单位的.

PN结反向电流在有光照和无光照哪种情况下数值大

很明显,有光照的时候,PN结反向电流数值大.光敏二极管和光耦就是根据这种原理做出来的

遮光布有很多种.包括有光和无光的.

阳离子遮光布,可能是一种染整工艺产品的名称.用阳离子活性剂或阳离子树脂涂层涂布处理.不容易带静电.故而不容易吸尘.如此而已.

如图,E为内阻不可忽略的电源,R1、R2为定值电阻,R为光敏电阻,无光照时外电路的总电阻比电源内阻小,当有光照且强度逐渐

注意第一点:光敏电阻的阻值随光照的增强而减小(为半导体材料制成);注意第二点:无光照时外电路的总电阻比电源的内阻小,那么有光照时光敏电阻R减小,外电路的总电阻仍比电源的内阻小,且更小.也就是说题设条件

PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么?

如果加到PN结两端的电压达到一定的值的时候,反向电流突然增加,这个现象称为PN结的反向击穿又称电击穿.PN结击穿有两个原因,一个是雪崩击穿,还有一个是齐纳击穿(大多出现在齐纳二极管中)雪崩击穿和齐纳击

实际半导体二极管PN结反向电流由哪几部分构成?

若是以最常见的整流二极管而言漏电流由以下6部分组成1.保护胶壳表面2.保护胶壳本体3.硅胶表面4.硅胶本体5.芯面表面6.芯片本体再问:若以半导体物理知识回答,是不是分为漂移电流(主要)、扩散电流和基

植物如果一天24小时都有光照好不好?

很多植物开花是受到光照时间长短的调控的.例如菊花,如果总给他保持很长时间的光照它们就很难以开花,有的实验表明在长时间的不间断光照下菊花只会进行营养生长,而不会开花.有的植物并不喜光照,例如很多生长在树

锗PN结反向电流随电阻率如何变化

正向导通,在升压过程中,存在电流随电压线性相应区域,超出线性电压上限,出现非线性电流,反向截止不过有个截止电压,在截止电压之下,只存在漂移电流;当反向电压超过节内建场电压是,则节被击穿.

光电二极管的型号参数光电二极管的暗电流,和有光照是的电流,以及它的等效阻抗.

Vce=10VH=100lx时,光电流典型值IL=1.5mAVce=10V时,暗电流最大值ID=100nA这是我公司光二极管的特性参数,

某个早晨,容器中有200个细菌,白天有光照,容器中的细菌将减少65个,夜间无光照,容器中的细菌将增加40个.则在第___

65-40=25(个);200-25×6=50(个);65>50;所以需要的天数是6+1=7(天).故答案为:7.

何谓PN结的正向偏置和反向偏置?何谓PN结的单向导电性?

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!