PN结势垒电容外加电压和掺杂浓度的关系?

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加

PN结正偏压增大时,耗尽层变窄,电容自然增大了,c=Xx/d,d变小了再问：电容公式我知道，我是想问耗尽层电荷量变小和势垒电容增大是否矛盾？再答：不矛盾，你用画出来，然后分析。。。。再问：这...还是

因为PN结反向截止时形成一个耗尽层,相当于一个中间绝缘层的一个小电容,因此当电压频率升高后,高频信号会通过这个小电容穿过,也就是反向信号也可以穿过二极管,就失去单向导电性了.这个小电容也就是二极管的结

简单的说：掺杂浓度过高,杂质原子过于靠近,从而相互结合,这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量,从而造成PN结变窄.以下信息供参考理解用：晶体是由许多原子在靠近时,通过电子轨道相互重叠并“成键”后组

p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P

齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内.由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压（5V以下）,结层中的电场却很强（可达左右）.在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中

电子和电流方向相反,过程可以这样描述：电子先进入n区,汇合n区自带的电子,在与内电场方向相反的外电场的作用下,打破扩散运动和内电场所构成的原有的动态平衡,一起做扩散运动,穿过pn节这个空乏区,扩散进p

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容.PN结交界处存在势垒区.结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应.当所加的正向电压升高时,PN结变窄,空间电荷区变窄,结中空间电荷量减

当外加反向电压时,呈现的电阻（反向电阻）很大,通过的电流很小（通常可以忽略不计）

这里有一个先决条件：即感抗要等于容抗（WL=1/WC）.在电感上产生的反电势滞后于外施电压90度,而在电容上产生的反电势超前外施电压90度,由于感抗=容抗,因此这两个感应电动势大小相等方向相反,抵消了

半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子（如硼）使之成为P型半导体,或掺入五价的原子（如磷）使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的

C-V测量,加偏压后,再加小信号高频信号测电容.再问：谢谢回复。您的意思是在直流偏压上叠加一个小信号？那这个用什么仪器测电容呢？万用表或者其他什么仪器？

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

电压频率只如果加上交流点的话（不一定是正弦波）,频率高的话电容的容抗就小,就是你说的“通交流阻直流”.结电容不是常量与失去单向导电性没直接因果关系.不是常量是因为外加电压会导致那个什么场的等效距离不一

可以用单向阀来理解,当水正向通过的时候,阀门打开,水流很大,当水反向过来的时候,阀门闭合,但也有极少量的水渗漏过去.反电压就是如此,增加了内电场相当于关闭阀门,电流过不去,而通过少子漏过去的电流太小,

+P-N-----------＞EP的多子是空穴带+电荷N的多子是电子带负电荷所谓PN结即P型半导体和N型半导体结合处由于各自多子扩散到对方被复合后产生的一个很薄的空间电荷区,也叫耗尽层,即PN结．所

PN结外加反向电压后,空间电荷区中的电场增强,则相应的空间电荷增多,因而空间电荷区展宽.外加正向电压时,电场减弱,则相应的空间电荷减少,因而空间电荷区变窄.

结电容就相当于并联在两个结的一个电容,是由于pn结的面积形成的一个电容.在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现

是由于电子和空穴的扩散作用,P区的空穴和N区的电子相互扩散.因为失去正电荷空穴,P区为负,因为失去负电荷电子,N区为正.所以在PN结处的内电场是由正指向负,也就是由N指向P；如果在PN结外加正电压,外

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向