pn结加正向电压时 其正向电流是多数载流子什么作用

pn结在未加电压前,就有扩散运动,且扩散运动在pn结两边形成内电场,该内电场抑制扩散运动,从而达到扩散平衡.此时,你加入正向电压（而不是电流）,达到一定的数值将抑制内电场,内电场重新变化,电荷带变小,

多子当然不是无穷的,当电子和空穴复合后,会分别从电源获取电子和空穴.从而源源不断的进行扩散运动.实际情况下,这个过程持续的长短是和电源所拥有的电荷有关的.但是你要主意这种理想化的表述方法：在PN结两端

p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P

平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着

p区接正极,n接负极,内电场约为0.7v再问：载流子的什么运动加强，形成较大的正向电流？再答：载流子的扩散运动加强，漂移运动减弱

二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大.

光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子

因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴

aaa你这个涉及的方面比较多,有半导体器件的还有数电的我只会半导体的.

正向电流正常通过,反向会出现一个壁垒阻止电流通过.反正就是PN节一边只能存在正电荷一边只能存在负电荷,正负相吸就过去了,正正相撞就过不去了.具体语言自己组织吧.

PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层将变窄

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.P型半导体（P指positive,带正电的）：由单晶硅通过特

因为自建电场方向是反向的

将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导

加正向电压是导通状态,加反向电压是阻断状态.

你所说的截止区是不是耗尽层啊?我们学的时候叫做耗尽层,首先扩散可以增加耗尽层,所谓扩散是正电荷由p区到n区,负电荷反之,是由浓度差产生.漂移电场产生的,在耗尽层里面,n区正性,把n区少子（正电荷）推回

PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.

是由于电子和空穴的扩散作用,P区的空穴和N区的电子相互扩散.因为失去正电荷空穴,P区为负,因为失去负电荷电子,N区为正.所以在PN结处的内电场是由正指向负,也就是由N指向P；如果在PN结外加正电压,外

这个问题你最好看一下PN结的伏安特性曲线或二极管的伏安特性曲线（或者你看一下三极管的输入特性曲线）.仔细看一下,在正向特性上,随着UBE会随着Ib的电流增大而增益.这个就是半导体的非线性,理论上说,对

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向