作业帮pn结两端加正向电压为何空间电荷区变窄
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/09 13:53:05
pn结在未加电压前,就有扩散运动,且扩散运动在pn结两边形成内电场,该内电场抑制扩散运动,从而达到扩散平衡.此时,你加入正向电压（而不是电流）,达到一定的数值将抑制内电场,内电场重新变化,电荷带变小,
当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加
多子当然不是无穷的,当电子和空穴复合后,会分别从电源获取电子和空穴.从而源源不断的进行扩散运动.实际情况下,这个过程持续的长短是和电源所拥有的电荷有关的.但是你要主意这种理想化的表述方法：在PN结两端
所谓反向电压是根据P--N结的方向来的.P端的电动势高于B端,就是正向电压,反之称为反向电压.再问：什么B端，哪里来的B端再答：纠正一下打错了，是N端。键盘上N和B靠的太近啦！
p区PN结外加正向电压的接法是P区接电源的正极,N区接电源的负极.这时外加电压形成电场的方向与自建场的方向相反,从而使阻挡层变窄,扩散作用大于漂移作用,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流,方向是从P
平衡状态下的PN结中扩散电流与漂移电流相等,加正向偏压后,正向电压落在空间电荷区并与空间电荷区自建电场的电压方向相反,等于削弱了自建电场,空间电荷区势垒降低,扩散电流超过了漂移电流,使PN结导通.随着
p区接正极,n接负极,内电场约为0.7v再问：载流子的什么运动加强，形成较大的正向电流？再答：载流子的扩散运动加强，漂移运动减弱
二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大.
光电效应跟加正向电压有必然联系吗?加正向电压会在PN结内部产生电场,扩散运动被加强从而使PN结内部的漂移运动小于扩散运动,使电子从N区移动到P区,光电效应是由于n区杂志吸收了光子,从而电离出更多的电子
因为PN结的内电场是靠近P区积累负电荷,靠近N区积累正电荷.当加正向电压时,即P区加正,N区加负,在电场力的作用下,有利于P区的多子——空穴,向N区方向移动,使P区的负电荷层靠近P区的部分重新获得空穴
aaa你这个涉及的方面比较多,有半导体器件的还有数电的我只会半导体的.
正向电流正常通过,反向会出现一个壁垒阻止电流通过.反正就是PN节一边只能存在正电荷一边只能存在负电荷,正负相吸就过去了,正正相撞就过不去了.具体语言自己组织吧.
当二极管两端还有明显压降时PN结处于“反向击穿”状态,有齐纳击穿和雪崩击穿但是若无明显压降,此刻二极管已损坏
并没有消失,只是变窄了!当加正向电压时,空间电荷区会很窄,所产生的电场会很强大,电子会穿过空间电荷区,从而实现导电!
因为自建电场方向是反向的
将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导
加正向电压是导通状态,加反向电压是阻断状态.
PN结并未变薄,但空间电荷区变窄.正向电压产生的电场削弱PN结空间电荷区电场,导致空间电荷区变窄.
当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向