pn结不对称载流子速度慢

就象能容纳10个载流子,9个电子,1个空穴(可以容纳一个电子),它们是共存的

你搞错了吧,太阳能电池中,在pn结内建电场的影响下,n区空穴通过pn结向p区移动,p区电子通过pn结向n区移动,所以是两种载流子

本征半导体是完全不含杂质、晶格完整的单晶体n型半导体是指以电子为多数载流子的掺杂半导体PN结的_半导体是二极管--》读不通正常工作时工作在反向击穿状态的二极管通常是稳压二极管整流电路是二极管实际应用电

书上应该是说闯进空间电荷区或空间电荷区附近的少子会受到电场力的作用而漂移到对面.如你所说,一旦N区的空穴进入空间电荷区,那么空穴受到向P区的电场力,肯定是向P区漂移的,至于你说的正离子的排斥力,那么你

电子和电流方向相反,过程可以这样描述：电子先进入n区,汇合n区自带的电子,在与内电场方向相反的外电场的作用下,打破扩散运动和内电场所构成的原有的动态平衡,一起做扩散运动,穿过pn节这个空乏区,扩散进p

你可以这么理解,杂质的浓度提高个,这些杂质起不到载流的作用,所以载流子浓度就越小

电子与空穴的定向运动都会引起电流,同时也要考虑PN结的电子空穴复合.    例如给出的下图,红黑箭头碰撞的地方表示电子空穴复合.  &nbs

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

选择题：1B2D3D4C5题目不完全,需告知基极Ib电电流数值（Ic=Ib×β）6C7B8D9B10C填空题1（1）差模（2）共模输入（3）差模输入（4）共模输入2（5）放大（6）截止（7）饱和（补充

因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.

CA(少数载流子浓度由ni^2/N,决定,N是掺杂浓度,也就是多数载流子浓度,ni为本征载流子浓度,随温度升高而增大)B(其他几种接法,电源噪声都可以通过负载电阻耦合到输出)

无论PN节加什么偏压,载流子都要参与漂移运动和扩散运动,只是看哪种运动占主导.当PN节加正向偏压时,P正N负,耗尽层减小,N区的电子在电场作用下漂移到P区,P区的空穴漂移到N区.同时,由于P区的空穴浓

1.thefaster,thebetter2.assoonaspossible3.thesoonerthebette

举个例好吧?两块空间磁力线相等的磁铁石,他们没在一起时我们发现不了什么,可能还不知道是磁铁,这就是两种不同的半导体材质一样!如果把两块磁铁放一块叠加,我们就会发现会吸合,但在PN结里我们无法分辨出来,

PN结形成后,交接面上电子和空穴大量复合,形成一个耗尽层.此时N区由于丧失了电子呈正离子效应,显正电,P区呈负电.因而建立了从N区指向P区的内建电场.此时电子在电场力作用下,向N区移动,而相反空穴向P

我觉得既然在PN节上生成的载流子,那就应该受到PN结的内电场影响.内电场的方向是N区指向P区的,是有利于漂移运动,阻止扩散运动.这就是低浓度想高浓度漂移的原因吧.

根据我的理解,漂移是指在电场作用下的运动,扩散是指在浓度差驱使下的运动.在PN结中,P区由于富含空穴,N区富含电子,电子向P区扩散,于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子,而N区因电子转移到P区变成空

空间电荷区存在一个反向电场'载流子在其中是难以平衡的,所以少.至于载流子肯定在原来p区和n区,电荷守恒的再问：内建电场是阻止载流子继续扩散的。空间电荷区内载流子的扩散和漂移运动相等。所以存在一个动态平

你的理解有偏颇.再问：我也觉得这种理解有问题，那么，请不吝赐教。再答：p性半导体和金属片制作在一起,可以形成pn结，一般肖特基二极管就是这个原理。那个是内建场对少子的抽取，和扩散电流相抵消。扩散是要有

半导体中通过电流的大小是由半导体的电导率和加在半导体两端的电压来决定.而半导体的电导率由半导体中的载流子浓度和载流子的迁移率来决定（迁移率有点类似速度,不过单位是m^2/V.s）；半导体中的载流子一般