运放正向和反向输入端的电容

小于（两个字居然不让提交,啰嗦一下,同向放大器输入信号是直接接到放大器同相输入端的,而理想放大器的输入电阻是趋向无穷大的）再问：原题是这样的，后面那个空怎么填啊，由集成运放组成的反向放大器的输入电阻_

通常运放的输入阻抗都很高,在理想中匹配电阻上是没有电流的但是实际并非如此,匹配电阻流过的电流是运放里差分放大电路的两个三极管的基极电流如果不匹配的话,两端的压降就不相等这样就会导致输入电压没有被差分放

集成运放基本都是采用差分作为输入,输入的信号经过多级放大后,输出信号和差分的输入对比,相位相同的差分输入端就是同相输入端,相反的就是反向输入端

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

把二极管的正极加负电压负极加正电压称为正向偏电压,正极加正电压负极加负电压叫反向偏电压

1.本来-30V~30V 正弦波 -30~-5V部分有波形 2.30V有波形再问：第二个应该是5~30V有波形吧，顺便问一下：第二个图是不是当D通的时候，Uo就是5V；断

应该是表述：一个是同相输入端,一个是反相输入端,是与输出端信号的相位对比的.而不是你所说的正向、反向输入端；关于虚短..虚断问题,是差分输入电路的特性,如输出无关,因此也就无所谓反馈前后问题；

二极管的单向导电性是二极管本身的性能参数.通常是希望正向电阻小,反向电阻大.正向电阻小可以使电压降减少;反向电阻大可以使电路更好截止,也就是漏电小.不同材料的二极管同样是正向电阻也不一样.锗二极管的正

这肯定是反馈作用,不管是电阻,或者是电容,都可以看成阻抗,增益等于-Zf/Zi.如果从网络的角度看,电阻与电容并联,则构成低通滤波器LPF,如电阻与电容串联,则构成高通滤波器,HPF.不管是LPF,还

你的分析基本上是对的,VP和VN的电压等于R1上的电压.但R4上电压和R1上电压也是相等的.下面我们用”虚断“和”虚短“来分析一下由R4、R2、R1组成的回路：由”虚短“得到VP=VN,那么R4、R2

可以近似算出等效电阻,由DATASHEET可知二极管的典型正向压降及典型反向漏电流,则正向等效电阻约为：应用时的电流/正向压降；反向等效电阻约为：反向电压/漏电流.由计算可知,二极管正向电阻很小（几十

二极管主要是正向压降VF,反向电压VR,其他的就是要看什么样的二极管,分类不同参数有所区别,如整流二极管,一般不测试恢复时间,如果是快恢复二极管,高效整流二极管等,要看恢复时间大小,肖特基二极管的VF

这个电路看着很别扭,是我的话会去掉D1和D2,R4两端并联个小电容.再问：为什么呢？我不太懂，还希望你给个答案.谢谢了再答：没注意还要实现互锁，我刚才说的只能自锁。但你这个也不能互锁。具体怎么实现互锁

在三极管饱和的时候,一般来说,bc结不会正偏.因为c极连接着Vcc（对NPN管）,他代表着系统最高点压.Vb是不会高于他的.当bc结正偏时,三极管的工作条件被破坏,这样会沦落为两个简单的二极管,由Vb

反向运算放大器就是放大反相输入信号的放大器.如果正向输入端即同相输入端不接地,那么同相输入端所接非零信号就会被放大,反向运算放大器就变成了减法运算放大器.所以反向运算放大器的正向输入端一定要接地.以前

就以附图为例吧.反相端的输入电阻是R9=24K,这没什么疑义.正相端的输入电阻是两个电阻的并联,R10//R11=30K//56K=29.5K.两者相差不大,算是匹配了.匹配程度是相对的,要看对电路的

正向起爆是有的,就是钻孔装药爆破时,把起爆药包至于上部,雷管聚能穴向下,这种起爆称为正向起爆,反之称为反向起爆,中间起爆称为双向起爆.

一般没有这样的芯片一般的放大器就是运放至于什么样的运放就需要你自己接外围电路了一般的运放用LM324ua741等就行了只要是集成运算

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向