载流子反向偏置

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.

首先要知道：保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以

纠正你的一个错误,不是发射极,而是发射结,后面那个应该是集电结.所谓正向偏置和反向偏置,其实是针对PN结而言,如果P区的电压比N区高,称为正向偏置,反之N区的电压比P区高,则称为反向偏置.晶体三极管都

正偏和反偏针对PN结而言,不止三极管.PN结有P,N两个区,所谓正偏就会指P区的电压比N区高,如果高出0.7V以后,PN结就导通,.反偏就是N区电压比P区高,反偏时PN结截止.三极管里面有两个PN结,

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

因为这时有外加电压使PN结中的空穴和电子定向移动,就向导体中的自由电子永远和导体中的之子量相等,只不过有后续补充,对导体断电后,电流立即消失,永远呈中性.一般硅结为0.6~0.7V,锗结为0.2~0.

选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

反向偏置电压就是集电结的P端接低电平、N端接高电平,对于PN接来说这就是接的反向电压.反向偏置电压并不是集电极电阻提供的,是三极管的工作电源通过集电极电阻提供的,集电极电阻只是提供一个通道而已.集电极

晶体管工作在放大区的工作要求是:发射结正偏,集电结反偏

在二极管两端加上正向偏置时,将电源的正极与（P）区相接将电源的负极与（N）区相接时二极管（正）偏,处于（导通）状态加反向偏置时,处于（截止）状态.

举个例好吧?两块空间磁力线相等的磁铁石,他们没在一起时我们发现不了什么,可能还不知道是磁铁,这就是两种不同的半导体材质一样!如果把两块磁铁放一块叠加,我们就会发现会吸合,但在PN结里我们无法分辨出来,

1.正向电压加在PN结上,PN结导通,反向电压加上后,PN结截止；2.二极管的基本结构也是一个PN结,存在导通电压的问题,即正向电压大于一个值的时候才会导通,否则就截止,一般硅二极管为0.7V,锗二极

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

若无外界电场,扩散电流和漂移电流是动态平衡的.加上：正向偏置电压、或反向偏置电压　之后,即使它们电压是相同的,但是方向不同,它们对　空间电荷区宽窄,影响就是不同的.外加电源所提供的载流子,对扩散电流、

正向偏置就是使电流可以通过的偏置,反向偏置就是使电流不能通过的偏置.PN结的P就是positive的意思,应该接高电压,N就是negative的意思,应该接低电压,这样接了,电流就能通过,这就是正向偏

很小,导通,很大,截止

这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!