设图中的三极管b=100 Ubeq

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

我试着计算一下首先Vbq=6V+Vbe=6+0.7=6.7V因此Rb2的电压为6.7VRb2的电流Ib2=6.7/24K=0.28maRb1的电流Ib1=（20-6.7）/24=0.554ma于是基极

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

计算条件不足.故假设U1=U2=0V,则ICQ=((UEE+VBE)/RE)/2(取决对值),UCEQ=UBE+UCC-ICQ*RC.ICQ=((-15+0.7)/10)/2=0.715mAUCEQ=

温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每

NPN三极管截止时,be电压肯定小于导通电压,CE、BC之间相当于开路,单独看BE、BE相当于二极管,饱和时B、C、E之间相当于短路.再问：相当于导线？那怎么还有饱和压降Uces什么的呢？再答：相当于

请问当三极管刚刚饱和时,就是临界饱和状态,Uce=Ube,管压降Uces,Ubc=0,测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯.不会变的.再问：谢谢啊！可是共射级时Uces和Uce是不是一样呢？？再答

根据你提供的参数可以判断出这是一只硅型三极管,如果用万用表的正极连接三极管的基极,那么根据数据分析是硅NPN三极管.如果用万用表的负极连接三极管的基极,那么应该是一只硅PNP三极管.

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

1、Ic=（10-0.7）/3=3.1mA,Au=-60*1500/（300+61*26/3.1）=111,rbe=811Ω,Ro=1.5KΩ.2、Ub=4V,Ic=3.4/2=1.7mA,rbe=3

1、（锗管）饱和状态.2、截至状态.你的参数如果按正常的计算方法是缺参数的,比如B值（管子的电流放大倍数）没有给出,回流电压及电阻都没有给,有了这些东西才能进行理论分析.只能靠经验分析,尤其是第一个.

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

根据题中信息,可得：IB=(Vcc-UBE)/Rb=11.3V/377kΩ≈0.03mA,则IC=50*IB=1.5mA,得UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-1.5*6=3V＞饱和电压,所以管子工

Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和

ib=（2-0.7）/50=0.026mAic=0.026*100=2.6U0=15-5*2.6ics=（15-0.3）/5=2.942.94/100=0.0294=（2-0.7）/Rb求出Rb再问：

①因为Ic=2mA,β=100,所以Ib=2mA/100=20uA,因为基极电位为0.7V,所以URb=9V-0.7V=8.3V,所以Rb=8.3V/20uA=415k.②集电极电位为4.5V,则Rc

1、Ib=（Vcc-UBE）/Rb=(12-0.6)/230=11.4/230=0.05mA=50uAIc=βIb=50*40=2mAUce=Vcc-Ic*Rc=12-2*3=6V2、图解法：Uce=

三极管V1e=6V;V1b=6.7V=U0(8/12)V.U0=10.05V.这为理论的与实物略有岀入,需在R1.R2调整而得.R2太大稳定性差.

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通