npn集电极基极串联电容

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

基极b控制集电极c的电流.NPN：放大状态时,各脚电压比c>b>e,即基极电压小于集电极电压且大于发射极电压；b－e电压约为0.7伏为正常；PNP：放大状态,c

因为你没发电路图上来,我想你这可能是一个发声的电路.在集电极与基极之间加上交流的正反馈电路,使电路尽早地进入饱和和截止状态.

限流,滤波.

在EWB和orcad中没有9013等型号,而且9013的有不同的型号,放大倍数也不一样；当在仿真中,使用增益较小的三极管仿真时候,会出现放大状态的.因此用型号不同的三极管仿真是很难得出正确结论的.

电容式起隔离作用,即使把前级的直流电平隔离开来一不影响后级的工作点,并且电容可以通过交流信号,所以不影响信号的通过输入到下一级了,就是平时所说的电容隔直通交的特性,那个串联的电阻一个是限制输入信号幅度

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→Rb→b→e→地；IC：VCC→Rc→c→e→地；IE=IB+

在三极管放大电路中,从三极管的集电极到基极所加的电容称为负反馈电容.这个电容能起到对放大电路的稳定作用.其主要目的是消除放大电路的高频自激所引起的啸叫（在低频放大电路中,高频放大电路的自激人耳听不到）

饱和时,基极和集电极都是正偏,所以反向饱和电流I（CBO）不复存在,代之以方向相反的多子扩散电流.因为饱和时集极正偏,发射极反偏,所以会产生由集电极到发射极的电流.再问：放大状态下从发射区注入到基区的

1、取基极串入电阻（欧姆）=HEF*【输入信号电压（V）-0.7（V)】/0.3(A）即可,选单个三极管只要输出能力满足要求就可以实现.2、耗散功率计算正确,但需要考虑截止到饱和过渡期间功耗较大的问题

这个问题与具体的三极管型号和电源电压有关.假定采用9013三极管,其Vbe饱和电压为1.2V,又假定你采用5V直流供电,集电极-基极间的偏置电阻假定采用1K,则计算如下:R(饱和导通时的基极偏置电阻)

三极管导通要求：发射结正偏,集电结反偏基极b：用来调节偏置电压,即Q点.集电极c和发射级e：确实,根据电路的不同,电阻的作用也不同,可以用来：限流,输出等.建议：上网找一下三极管的基本应用电路,上面都

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

基极电压Vbe=0.7VIb=(15-0.7)/100k=43μA设三极管放大倍数为β,则Ic=43μA*βVce=15V-5k*43μ*βV=(15-0.215*β)V1.如果Vce>Vcb,则三极

你确定你测的电流方向正确吗?根据集电极电流是基极电流的β倍,发射极电流是基极电流的(1+β)倍确定硅管导通电压为0.7V,锗管为0.3V,由所测电压相减所得,剩下那个就是集电极,根据NPN和PNP情况

通常,三极管放大电路里没有直流信号,只有电源通过偏置电阻、负载电阻所建立的直流静态工作点.两级共射放大电路之间若有耦合电容,则两级放大所用的晶体管必须有各自独立的偏置电路来设置各自的直流工作点,两级晶

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

一般指的是放大状态NPN：Vc>Vb>Ve,且一般Vb-Ve=0.7VPNP：Vc

是基极和发射极正偏,不过也不用0.7V,硅管0.5几,锗管大概0.2多久导通了,前提是集电极和发射极也是正偏.基极电流是流向发射极或者从发射极流出.

这个题目挺有意思.答案是A.你存在的问题是：在分析的时候,自动加了个条件,也就是三极管处于放大状态,也形成了电流,而这个题目里面,丝毫看不出有这个前提条件.如果只是集电极发射极加电压,其实这个三极管是