mos管开关电路中易烧

这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数.一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你.还有其他疑问的话,可以选择追问再问：Vgs怎

过多大电流.irf7314不错

Vgs代表开启电压

1这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗?答：正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平.即便Rcop阻值高

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

这个有时间限制,和集电结烧毁能量有关.导线载流量一般指安全载流量,具体烧断电流和散热、持续时间有关.这个参数,只说明这个器件可承受短时最大电流,而不是工作电流,供设计可靠性时参考.

MOS管自身的功率P=VDS*ID,VDS=ID*Rds,Rds是MOS管得导通电阻,可以通过查看芯片手册得知RDS.

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管,有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间

为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利.2.3.2

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵.三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做

1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与.场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子2、三极管属于电流控制器件,有输入电流才

简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止（通和断）.

电路错了,PMOS你还D入S出?也就是说,S和D反了,调过来就对了.这个电路很常用,类似于PNP型三极管,对P三极管来说,E接电源入,C接控制输出,同理如上.再问：反过来测试可以工作，但是电压会从4V

图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就

MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

——★1、三极管为电流控制元件,而mos管属于电压控制元件,驱动功率极低.——★2、三极管导通时,受PN结的限制,电压降约为0.035V,而mos管属于电阻性器件,导通时的电阻可以低到零点几欧,性能明

MOS管就是场效应管,20A的电流别无选择,只能场效应管.场效应管的开关频率一般可达300MHz,也就是微秒级别的,开关电路一般用到毫秒.提高关断速度,只要提高栅极的速度即可.你电路的控制端是单片机?

AO3401

要有栅极泄防回路管子才能快速顺利地截止.由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层,所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容.当G加上电压后就会给这个电容充电,当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能