mos电路的vgs和vds是什么

仙童2N7000BU/2N7000TAFDV303N（耐压25V）

问题1,AO3401在这个电路中的作用：是的!AO3401在这个电路中是起到开关作用,当VBUS端输入低电平时,Q101P沟道VMOS管AO3401的2脚栅极也为低电平,于是,1脚D漏极与3脚源极之间

内置MOS就是在IC内部已经有MOS管,使用时在外部不需要再加,外置MOS就是内部没有MOS管,只是一个MOS驱动输出,在外部一定要加MOS才可以使用.再问：你是做电源行业的吗再答：不是，我是做工程的

N沟道MOS管（一般源极接地）,只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右）,便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道,将源极和漏极连在一起,成为导电通道；这时只要在漏极加上电压,便可形成电流,此时电流

BG5和DW构成一简单的直流稳压电源作为前级交流信号产生部分的工作电源,目的是为了降压,做DC/DC变换.开关闭合后该电源开始工作,前级获得工作电源后开始工作,将产生的交流小信号送后级MOS管组成的推

简单地讲就是用栅极G电压的高低变化来控制源漏的导通和截止（通和断）.

先说你的答案：DRAM即动态随机存取存储器最为常见的系统内存.DRAM只能将数据保持很短的时间.为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次,如果存储单元没有被刷新

电路错了,PMOS你还D入S出?也就是说,S和D反了,调过来就对了.这个电路很常用,类似于PNP型三极管,对P三极管来说,E接电源入,C接控制输出,同理如上.再问：反过来测试可以工作，但是电压会从4V

从技术上看没有任何问题,但是没有必要采用分离元件自己搭建电路,用一个Pwm芯片推动很是方便,例如UC3843,就是为驱动MOS管设计的.再问：这是UC3909电路图外面的部分电路，只是没有具体的元器件

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写,MOS电路由MOSFET（场效应管）构成,MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离,因此栅-衬间的电阻极大,而MOS电路的输入内部就是与栅极相接,所以输入

1、UGD=UGS-UDS,这是定义,没有什么好说的.2、第三个式子是从第二个推导出来的.3、整个公式其实是从实验获得,你如果仔细研究一下结型管的数据获得明白了.具体过程是这样的.（1）首先设定UDS

■这是一个用场效应管构成的稳压电源电路.左端是输入端,加进未经稳压的高电压,经过Q28输出后被R147和R148组成的分压器分成1/2的电压供给场效应管Q29.如果输出电压变高,Q29就更多地导通,于

假设没有三极管,并将下面运放的6、7相连,就是一个运放跟随器,电压放大倍数=1,运放7的输出等于输入端5的电压.因为运放的两个重要特征：1）开环电压放大倍数非常大,10的n次方；2)运放的输入端内阻很

电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小,同时也会引起效率下降.峰峰值和过电压的尖峰不是一回事.

P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还

它的名字叫二极管接法,但是并不是像二极管一样具有整流特性,它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子,就表现出一个小电阻似的小信号特性.原理上来讲,由于漏极和栅极相连,使得一定有Vds>Vgs-Vth,

沟道被耗尽层切断以后,由于耗尽层的电阻远大于沟道电阻,所以Vds电压增加部分几乎全部加在了耗尽层上,导电沟道上的电压几乎不变,所以Id几乎不变.

万万不可!理解错了GS之间双向都是绝缘的如击穿就坏了,是物理击穿不可逆的.更无稳压作用可言,你所发现的情况一定菅内接有稳压二极管如一些MOSFET在D.S间用此法防击穿的型号是很多的再问：如果我要是像

这应该不是控制电流大小的问题,应该是你的负载比较大,应设法减小负载,如负载方便直接减小,可考虑降低输出电压.,

是这样子的,电路有个参考点作为地,平时所说的电压都是相对于地做参考的,比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压.你所问的Vds是指D极相对于S极的电压,也就是由原来的参考地改为以S作为参考.简单来说