耗尽型MOS做稳压管

过多大电流.irf7314不错

二者区别没有那么绝对,很多mos管既可以工作在线性状态,又可以工作在开关状态.只不过开关mos管为开关的工作方式做了优化,主要是能支持比较高的开关频率.

MOS的耐压和经过MOS的电流,然后就是内阻和散热啦反应到电源就是最大工作电压和最大输出功率

稳压二极管稳压时处于反向击穿状态,而这个击穿电压属于合理击穿,也正是利用了这个原理,只要控制合理的电流范围不会彻底击穿为0；当电压高于稳压值时,流过稳压管的电流增加,电压降低时,流过的电流减小,以保持

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 图中为典型的串联型稳压电路,T1、T2组成的复合管作电源调整管.图中可以看出,调整管的电流放大倍数越大,则T2基极电流变化引起T1集-射电流的变化幅度的变化,采用复合管可使电流放大倍有数几

增强型比较清楚：1、P沟道增强型：当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V4V之间.耗尽型的管子比较少见.1、P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通,这个

MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于

三极管,也称双极型晶体管,与MOS管的区别：1、外观：主要是看上面的印字,再查到该型号的资料就知道它是什么东东了!2、三极管其主要特征是有2个背靠背的PN结,而MOS管则没有PN结,所以用万能表很容易

NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,

P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低）,管子就开始导通,压差越大,G和S（源极）之间的电阻就越小,损耗也就越小,但是不能太大.还

稳压管的主要作用就是小电流稳压.由于稳压管的功率一般较小（不超过1W）,故对于大电流（大功率）负载,稳压管仅做为电压基准使用.负载的电压和电流,由调整电压和电流的功率器件提供和保证.正常的稳压二极管,

1N系列稳压管参数型号稳定电压型号稳定电压型号稳定电压型号稳定电压1N46781.81N4729A3.61N5244141N59914.31N467921N4730A3.91N5245151N5992

因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管

分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.　　我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流

这个东西,单凭几句话说不清楚的.我还是建议你多看几本书,不要局限于手头一本教科书,最好看看国外的模电教材（现在有很多翻译本）,多看几本,就看这块.可能会有一种说法能适合你.要理解好FET,基础还是前面

你是用Protel99SE画原理图吗,元件库里有这个元件,这是一个三端集成稳压电路,是最普通的也是最常用的集成电路了.在这个元件库里：C:\ProgramFiles\DesignExplorer99S

当然可以,而且大部分是用于开关状态,MOS管用于放大的例子还真不多.如果要工作在开关状态,就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区,不过MOS管的开关不是那么简单,在实际中,开启很容易,一般2-4V电

电子负载这东西本身就有一定的技术含量,不是那么方便的.简单的说,MOS管为核心的电子负载就是相当于一个PWM控制的电子开关,通过改变占空比,来改变输出电流的时间长短（也就是单位时间中,MOS管导通的比

你是没搞清楚运放和比较器的区别.运放在工作范围内输出电压是和输入电压线性变化的；而比较器只是一个比较作用输出电平就是高和低.搞清楚运放和比较器的定义你就明白了