真空有电荷体密度分布半径为b

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/10 11:40:17
设在半径为R的球体内正电荷均匀分布,电荷密度为p,求带电球体内外的电场强度分布和电势分布

由于正电荷均匀分布在球体上,所以电场强度有球对称性.设r为球心到某一场点的直线距离.根据高斯定理,ΦE=1/ε0∮q(∮q为高斯面内包含的所有电荷电量)对于球体,ΦE=E∮ds=4πr^2E所以1/ε

真空中一半径为R的均匀带电球面,电荷密度为σ,在距球心为2R处的电场强度大小为 ----,;电势为-----

由高斯定理可等效为球心点电荷,因此场强为sigma/4epsilon0,电势为r*sigma/2epsilon0再问:是这个答案再答:没错就是这个

半径为R.均匀带电球面,电荷面密度为a,求其周围电场分布和电势分布,并分析电场和电势最大值和最小值的位

【1】均匀带电球面,电场是对称分布的,高斯面的选取就选和带电球面同球心的球面,这样高斯面上的各点的场强大小相等,方向沿着球半径,也就是各点的球面法向方向.高斯面的电场强度通量Φe=∮E×dS(矢量积分

高斯定理解题:假设半径为R的球面上电荷均匀分布,电荷面密度为σ,试求:1.球面内外的电场分布.

在球面外部,此球面的电场线分布与带电量为Q=4πR²σ的点电荷电场线分布相同,所以可以用点电荷代替此球面,所以球面外距球心的距离为r处的电场强度为E=kQ/r²=4kπR²

1.求半径R,电荷体密度为P的均匀带电球体电场中E和U的分布.

1题取高斯面为半径为r的与球体同心的球面,由对称性,此面上个点场强大小相等方向沿径向,由高斯定理∮sEds=(1/ε0)∫ρdVr≤R时得E1*4πr^2=(1/ε0)ρ(4/3)πr^3E1=ρr/

一半径为R的带电球体,其电荷密度分布为qr/(πR^4)(r0),求球内外各点场强分布以及各点电势.

电荷密度分布是球对称的,可见球内外各点场强分布是球对称的,用高斯定理.电势积分.

求半径为R、电荷体密度为 、总电量为q的均匀带电球体的场强和电势分布.

这个题很简单啊,课本上应有推理过程.运用高斯定理,求解电场强度,然后再用积分求电势即可

一均匀带电球壳,它的面电荷密度为σ,半径为R.求球壳内、外的电势分布

在球外,可以将这个球壳等效为全部电荷集中在球心的点电荷处理,电势分布为k*4paiR^2σ/r(r>R)在球内的时候因为球壳上均匀带电,可以证明在内部所受合力为零,因此无论如何移动都不做功,因此是一个

设在半径为R的球体内电荷均匀分布,电荷体密度为p.求带点球内外的电场分布.

∵∮E·dS=E*4πr2另外,利用高斯定理,∮E·dS=1/ε*Σq当r=R时,E2=pR3/3εr2=q/4πεr2

一半径R的带电球体,其电荷体密度与半径的关系为p=Ar,A为常数.求球体内外的场强分布及球表面电势

楼主你太搞笑了,1.你积分积错了,2.你把几个量的字母搞混了改正方法:1&2.LZ的第一个式子,将积分上界换为r0LZ的第二个式子,将被积式换为dq/4πr0^2,将积分上界换为r0注意是r0!因为r

厚度为d的无限大的平板,在板内体电荷密度为p,板外真空,求解空间电势分布和电场分布

电荷面密度为p*d,电场强度应用高斯定律∮E.ds=∑q/ε0构建一个关于平板对称的圆柱高斯曲面,故E=σ/2ε0,U=∫E.dl=σ.r/2ε0,(其中r是距平板的距离.)

在真空中有两个点电荷A和B,电荷量分别为-Q和+2Q,它们相距L.如果在两点电荷连线的中点O有一个半径为r(2r<L)的

依据静电屏蔽,O点总的场强应该为零,而两个外部电荷产生的场强为(6kQ)/L,方向由A指向B,故感应场强与外部电荷场强大小相等、方向相反,即大小为(6kQ)/L,方向由B指向A.

无限长圆柱体单位长度的电量为a,半径为R,其电荷体密度分布为p=Ar,式中r为到轴线的距离,A为常数.

解出来内部场强分布:E=Ar^2/(3ε0),外部电势分布:u=[AR^3/(3ε0)]*ln(r/R).是否正确?

舍半径为R的球体内,其电荷为球对称分布,电荷密度为P=kr,k为一常量.用高斯定理

晕你,究竟推求哪个定性或定量关系也说不清楚,是不是想让人大头呀?

一道数学积分应用题设在半径为R的球体内,其电荷为对称分布,电荷密度为 P=kr,(0

表面积4πrr,该半径处电量Q=4πrr*ρ,电场强度E=KQ/rr.(K为库伦定理里的常量,和k不同).所以E=K4πrr*kr/rr=4πKkr再问:不是吧,应该用到积分的啊再答:不用啊。。。