的逸出功为4.2e

研究电子逸出功是一项很有意义的工作,很多电子器件都与电子发射有关,如电视机的电子枪,它的发射效果会影响电视机的质量,因此研究这种材料的物理性质,对提高材料的性能是十分重要的

临界时是w=hμ,h=6.63×10^-34js,w=5.25ev=5.25×1.6×10^-19j,故μ=1.27×10^-15,即频率必须大于该频率.c=3.0×10^8m/s,故临界波长=c/μ

同学,你不能自己先思考再提问吗?这些都非常基础的,老依赖别人不好.由爱因斯坦光电效应方程有电子动能Ek=hv  - W逸=hc/λ - W逸.则入射光

电子从入射光获得能量E0,然后从铯中逸出,逸出过程中损失能量1.9eV,剩余动能E0-1.9eV,具备相应于此动能的初速度.外接电压对于电子而言,属于反向电压,阻碍电子飞向阳极形成电流.当电流恰好消失

（1）根据爱因斯坦光电效应方程得：光电子的最大初动能为Ek=hcλ−W0=3.3×10-19j   （2）根据动能定理得到：遏止电压Uc=Eke=3.3×10−191.6

1eV=1.6×10-19J根据光电效应方程得：Ekm=hv-W0=hcλ-W0代入数据得：Ekm=6.63×10-34×3×108200×10-9-4.2×1.6×10-19J=3.216×10-1

1eV=1.6×10-19J根据光电效应方程得：Ekm=hγ-W0=hcλ-W0代入数据得：Ekm=6.63×10-34×3×108200×10−9-4.2×1.6×10-19=3.23×10-19J

（I）根据爱因斯坦光电效应方程Ek=hγ-W和c=λγ得，      Ek=hcλ-W代入解得，λ=4.3×10-9m．（II）（1）由质量

事先测出入射光的频率,然后由小频率逐渐改为大频率,当刚好有电子逸出时记录入射光的频率,根据W=Hγ算出.

1.h*c/入=2.486ev(入=波长)...2.h*c/入-2.486ev=0.5*mev*v解出Vme为电子质量3.U*e=h*c/入-2.486ev注意的是hc/入的单位是J而后面电子能量是电

1E=h*波长-电子逸出功h是普朗克常数,数值忘了0.200μm=2*10^-7m1eV=1.6*10^-19J

lg(I/T^2)=lg(AS)-5.04x10^3V(1/T)作lg(I/T2)--(1/T)直线m=-5.04x10^3VV=(-m/5.04)x10^(-3)逸出功=eV=e(-m/5.04)x

光电效应中发出的电子只是外层电子,逸出功也只是针对外层电子而言的.如果存在逸出功很小甚至为0的金属,那么这种金属将处于电离状态,永久带正电,现实中显然不存在这样的东西

(1)从下向上 (2)3.36×10-19J (3)9.66×1014Hz(1)光电子由K向A定向移动,电流方向与电子定向移动方向相反,故光电流由A流向K,因此通过电流表的电流从下

A、根据C24=6知，这群氢原子可能辐射6种频率的光子．故A错误，B错误．C、n=4跃迁到n=3辐射的光子能量为0.66eV，n=3跃迁到n=2辐射的光子能量为1.89eV，n=4跃迁到n=2辐射的光

A、一群氢原子处在第3激发态，向低能级跃迁，能发出光的种类为C 23=3，故A错误B、氢原子能级间跃迁时，吸收和辐射的光子能量等于两能级间的能级差，3到2能级发出的光子能量是1.89eV，金

答案是CD分析如下：发生光电效应的条件是：入射光的能量大于等于这种金属的逸出功分别计算出A、B、C、D所对应的入射光的能量其中B、D根据E=hv来计算A、B根据E=hc/λ来计算（C为光速）若计算出的

发生光电效应的时候,只能飞出来一个光子.注意只能是一个,至于为什么是一个,爱因斯坦并没有解释,你现在可以将它理解为一种现象.相信你已经清楚啦.

对,频率越高光子能量越大.光电子脱出物体时的初速度和照射光的频率有关而和发光强度无关.这就是说,光电子的初动能只和照射光的频率有关而和发光强度无关.

这些