作业帮IRF540饱和电压
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/22 14:21:16
二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降>锗管压降.而同等材质,工艺不同,压降也不同.2、二极管的工作电流：同一个二极管,当前电流越大,压降越大.压降虽然有不同,但是范围在(零点几~1点几)
这就是一个大电流（30A）、较高耐压（100V）、低导通电阻（0.077Ω）的N沟道场效应管.用法和其他N沟道场效应管差不多.
不想再去猜提的是什么问题,你说清楚了再来.
二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～
基极电阻为10K~15K,或只要基极电压≥1V则三极管就饱和导通.
BE之间的电压还是0.7V,至于CE之间的电压要看是什么类型的管子,如果是9013这个型号的,大约是0.3V.
要有基准电压,把他除以基准电阻得电流.最简单的LM317或LT431,317基准电压1.25V,除以你要的电流得R,把R接1、2脚,1脚再接地,电源后接负载再接3脚,电流1.5A以内,要散热,注意不要
①发射区的电子向基区运动 如图3-3所示.由于发射结外加正向电压,多子
三级管工作有俩种状态1放大,用于信号放大,一般用于小信号处理.2用于电路的开关,又称开关管主要用于产生直流电源,这时三级管工作在饱和状态.别灰心在电路中多理解就好了
是N沟道场效应管,可以用来做电子开关.
还要看三极管的类型,NPN和PNP型是不一样的,你说的情况如果是NPN型的情况.
看了你的介绍后,发现有一点问题.告诉你一个好方法吧.你去看晶体三极管的伏安曲线横坐标是ce电压纵坐标是集电极电流.自变量曲线族是基极电流.当基极电流为0是,一下的区域是截止区.当曲线要平的时候的转折点
因为二极管的反向电流的大小是取决于PN结中的少子的多少,温度高时少子多,而与电压大小无关
反向饱和电流：在二极管两端加上反向电压、反向电压在某一个范围内变化,而此时反向电流恒定.
场效应管导通后电阻一般是0.0几欧,40V除以这个电阻,电流肯定大于了23A呀.再问：帮我看一下这个图，场效应管的应用是否否合理，图是做一电子负载的：再答：这个电路很不合理，长时间工作场效应管或Ｑ４肯
设发射极电位为u,则有(12-0.7-U)*101/500000=U/1000,解得U=1.899,可得IE=0.001899A,所以集电极电阻上压降约为3000*0.001899=5.7V,所以集电
饱和时候,电子从掺杂浓度最高的发射极出发,在电场力作用下到达基极,由于基极最薄,而集电结正偏,电子能很快越过基极和集电结,到达集电极形成电流,难度比放大状态更小.这种问题不要用手机问,100字不够的.
饱和条件：输入电压X放大倍数≥放大器工作电压.饱和电压没有什么作用,只是一种放大器的性质.再问：还想问问，这个饱和电压的值是什么呢，怎么计算的？为什么要这个运放电路非要输出饱和电压呢？谢谢！再答：饱和
前面说的好像不对哦,说一下个人观点,首先纠正一下你理解存在错误,三极管工作在饱和区时UCE不是0v,是0.3v,Ic在特性曲线上也不是0,而是一个恒值,我们知道三极管IC只受到IB控制影响,所以IB既
你说的没错.就是电容两的电压=电源电压-电阻上的电压,即Uc=E-Ur=E-IR.但电容充电充满后,充电电流I=0,即Ur=IR=0,于是Uc=E-IR=E-0=E（即电源电压）.