电量Q 均匀分布在半径为R 的球体内,则球内球外的静电场之比为

由万有引力表达式：F＝GMmr2，由其内部挖去一个半径为r的球形空穴，挖去小球的质量为m，可知球体密度为：ρ＝m4πr33．挖去之前的求的质量为M，则：M＝m4πr23×4π(2r)33=8m，故挖去

高斯面内有电荷.注意条件里说的是“均匀带电球体”,电荷是分布在整个球体上的,不是只分布在表面.

由于正电荷均匀分布在球体上,所以电场强度有球对称性.设r为球心到某一场点的直线距离.根据高斯定理,ΦE=1/ε0∮q（∮q为高斯面内包含的所有电荷电量）对于球体,ΦE=E∮ds=4πr^2E所以1/ε

这个可以用电场的能量密度w=1/2*εE^2来进行积分得到.对球内电场进行能量密度积分,对求外电场能量密度积分,一比就行了.电场可用高斯定理求.用体积微元4πr^2dr乘上r处电场能量密度进行积分,球

1、电场力对电荷做的功,等于此电荷在该电场力作用下电势能的变化.不妨这样假设,所有电荷自外层到内层,逐层运动到表面上,则对某一些电荷来说,只有内部的电荷对它有电场力的作用,也就只需考虑“内部”电荷所产

答案见附图

外面是均匀球壳便可以无视,所以内部就无视外侧的球壳,将内侧的球视为在圆心的点.在球外视为球心的点即可

用高斯定理做就可以球面的话r小于等于R时场为零,因为球面内部没有电荷分布,而球体的话如果是均匀带电球体内部是有场分布的再问：能告诉下具体怎么求吗？再答：

非金属,内外电势不等用高斯定理求解再问：咋个求啊再答：E*2pi*r^2=（r^3/R^3）*Q/e球内E*2pi*r^2=Q/e球外e是真空静电常数

这个题很简单啊,课本上应有推理过程.运用高斯定理,求解电场强度,然后再用积分求电势即可

ρ只和r有关,电荷分布是球对称的,所发出的电场线也是球对称分布的射线.做一与带电球同心,半径为r(r>R)的高斯球面,设球面上各点场强大小为E,根据高斯定理:E*4πr²=Q/ε解出球外的场

用最简单的语言说吧,看看能否看懂：1、完整的圆环时,假如在其中心放上个检验电荷,由于对称性可知,检验电荷受力为零（对称性）,于是可知,此时中心处场强为零.（检验电荷只是用来让你明白中心场强为零的,没有

假设两球同心,内球电荷均匀分布在它的表面上,外球壳的内外两表面上感生的电荷－Q和＋Q也都是均匀分布的.两球壳之间的电场具有点对称性,场强和单独由内球产生的场强完全一样：E=Q／（ε×r^2）,r为从球

这个是根据电势叠加原理来求得点电荷在球心产生的电势为：kq/(2r)；由于球体原来不带电,所以导体球放在一点电荷场中达到静电平衡,感应电荷之分布在电荷表面,根据电荷守恒知道正、负电荷电量为零.所以感应

AB段的电量q=Ql2πR，则AB段在O点产生的电场强度E=kqR2＝klQ2πR3，方向指向AB，所以剩余部分在O点产生的场强大小等于klQ2πR3，方向背离AB．故D正确，A、B、C错误．故选D．

用积分的方法.圆盘上电荷的面密度为σ=Q/(πR²),在圆盘上半径为r,宽度为dr的一个圆环,所电电量为dq=2πrσdr,在轴线上距盘心为x处产生电势为kdq/(x²+r

设想有此处场强是一个均匀带电体密度为p的大球和一个半径为r电荷体密度为-p的小球所产生的场强的叠加.用矢量图画出o‘点场强的方向,场强大小靠你了!其实,在这个小空腔内,可以产生方向与球心到此空腔中心矢

首先用高斯定理（相信你问这个问题就一定知道）,积分面为同心球面,可得不同半径的球截面处电场大小,即E=E（r）然后就套公式吧,此情况下电场大小只和极坐标的r有关,以半径0-无穷大做积分……如果你积不出

空间电场呈球对称分布（带电球体内也是）,直接应用高斯定理即可.再问：球里的电场是否为零呢再答：不是，因为题目说是均匀带电球体，应当理解为绝缘带电球体，即电荷不能自由移动，所以球内电场并不为零。如果是金

因为是带电量为+Q的带电圆环,所以可以将其视为位于环心o的带电量为+Q的点电荷,所以F=KQq/L^2.