作业帮电路如图所示,晶体管的＝80,rbe=1kΩ.
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/14 16:01:29
静态工作点等于33μA（基极静态电流）；交流电压增益Au等于-3；输入电阻Ri等于60kΩ；输出电阻Ro等于3kΩ；Ui等于9.677mV（有效值）,Uo等于29mV（有效值）.因为你没有确定交流信号
分析：T1为电流串联负反馈共发射极电路,T2为射极跟随器,故2管放大倍数就为T1的放大倍数.1、Au=-79*6000/(1000+80*300)=139.4=1402、Uo=10*140=1400m
一般是通过测量晶体管的极间电压来判别电路中晶体管的工作状态.当VBEVE时,发射结处于正向偏置状态,集电结处于反向偏置状态,此时晶体管工作在放大状态.
注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差（1+β）倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态：
三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不
1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7
1、饱和时Uce很小,就是饱和了0.3左右,截止时Uce很大,等于电源电压2、输入电阻有影响,偏置越大,越小,输出端的外界电阻改变了,输出电阻当然要变
在射电路中,从基极注入基极电流从发射极流出,放大的电流从集电极流入从发射极流出
Au=Uo/Ui=-(β*(Rc//RL))/rbe=-80*2.5/1=-200Ri=Rb//rbe=rbe=1KRo=Rc=5KAui=Au/Ai=Au*Ri/(RS+Ri)=-200/3=-66
难道是13.5V?我楼下知道.ri
第一题是个斩波发生器,具体多少的输出电压由三极管的型号决定,假如安装常规的HEF=100来考虑的话,.算了,不去细看了,直接给你个猜的结果吧,范围为9V~27V第二题是个运放恒流电路,何来电压放大倍数
关于这些问题,建议你上百度或新浪搜一下,看看有没有相关信息或资料可以帮你解决.
Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K
电路看不清楚,不过这确实小菜.第一个电压源串联电阻可以等价成一个电流源并联一个电阻电流源大小为i=u/R（第一个R）所有的R不变,电流源也不变,再就直接列回路列三个电流节点方程即可,联立即可解决
同一点接入为并联,不同节点接入为串联
只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!
哪个极用作输入输出公共端,就是共哪个极的电路.例如共射,信号从基极与射极输入,则会从集电极与射极输出.
基极电流=（15-0.7）/475K=0.03mA集电极电流=基极电流*β=0.03mA*50=1.5mAUCEQ=15V-3K*1.5mA=10.5V
1、静态工作点：IB＝Ucc/RB＝0.05mA,Ic＝阝IB＝2mA,UCE＝Ucc－IcRc＝6V；2、电压放大倍数：Au＝－阝(RL//Rc)/rbe＝－100.