电路如图所示,晶体管的放大倍数为80,设等效电阻等于1000欧求q点
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/14 12:24:02
分析:T1为电流串联负反馈共发射极电路,T2为射极跟随器,故2管放大倍数就为T1的放大倍数.1、Au=-79*6000/(1000+80*300)=139.4=1402、Uo=10*140=1400m
1问其实2.3.13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2.3.7a
放大系数增大一倍,则电路的放大倍数会改变的.相同的△Vb,对应着相同的△Ib,而△Ic=△Ib*β.所以放大系数β增大,则△Ic必然会增大.同样的集电极电阻Rc,当△Ic增大,其压降△VRc(也就是放
穿透电流要在基极b开路,剩下集电极c和发射极e之间的漏电流,对于pnp型,用指针万用表黑表笔--(表内电池正极)===接上三级管e极,红笔--(表内电池带阻负极)接三级管c极,对于硅管,万用表导通阻值
你的图太太太模糊了!我就当你正相输入端为R11,反相输入端为R12这是输出的放大倍数:A={[(R12+R13)/(R11+R14)]*R14*Vi1/R12-R13*Vi2/R12}当R11=R12
看你求什么放大倍数了.晶体管的“电流”放大倍数是由晶体管本身特性决定的.但是电压放大倍数则是晶体管本身和电路结构共同决定的.
注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差(1+β)倍.IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-UbeIe=(1+β)IbUce=Ucc-IeRe根据三条公式可分析出三极管的工作方式截止状态:
共集电极放大电路电压放大倍数约为β/(1+β),是电压放大倍数最小的电路.电压放大倍数小于1.
三极管放大状态:Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V)NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不
1、饱和时Uce很小,就是饱和了0.3左右,截止时Uce很大,等于电源电压2、输入电阻有影响,偏置越大,越小,输出端的外界电阻改变了,输出电阻当然要变
增加集电极的负载电阻同时提高电压.换用HFE更高的晶体管.减小本级负反馈.
在射电路中,从基极注入基极电流从发射极流出,放大的电流从集电极流入从发射极流出
内部结构
分压比α=Rb2/(Rb1+Rb2)=24/(51+24)=0.32基极偏置电源等效电动势Ub=αUcc=0.32×12V=3.84V基极偏置电源等效内阻Rb=Rb1//Rb2=24×51/(24+5
Ie=[(5/30)*12]-0.7/(300+1000)=1mArbe=rbb'+(1+β)26/Ie≈200+100*(26/1)=2.8K
变大,因为电压放大倍数Au=-(β*Rl')/rbe,β与放大倍数成正比.以上前提是:不失真.
晶体管的电流放大倍数是基极电流IB与集电极电流IC的比值β,β=IC/IB,这个代表三极管的电流控制能力,一般希望稍微大一些例如100-1000,有时候为了更大的数值采用达林顿接法,用2个三极管组合在
只要发射结正常导通,对于硅管Ube都是0.7.这只是理想的状态.反正接近就对了!
可能原因如下:1、Rl太小;2、rbe太大;3、晶体管的贝塔值太低;4、使用了负反馈,例如接了电阻Re,可将Re短路试试.再问:这就是电路图,麻烦你帮我看一下。再答:从这个图上看,估计是你的静态工作点
1、静态工作点:IB=Ucc/RB=0.05mA,Ic=阝IB=2mA,UCE=Ucc-IcRc=6V;2、电压放大倍数:Au=-阝(RL//Rc)/rbe=-100.