电路如图一所示,为TTL门
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/21 22:27:24
COMS电路输入端是场效应管,他的输入阻抗相当大,如果输入开路机会感应很高的电压将管子击穿.TTL电路内部是普通的PN结做的,他的输入阻抗较小,如串大电阻输入信号就不够
从原理图上看,如TTL与非门的输入端是NPN三极管的发射极,三极管的基极有电阻接电源VCC,当三极管的输入端悬空时,三极管的基极到发射极无电流,三极管截止,通过放大反相使得输出为低电平.所以输入端悬空
TTL集成电路中输入端若悬空(什么都不接)代表此输入端输入高电平(逻辑1),但在实践中,由于工艺、玷污等原因未接的输入端很容易碰到其他信号线,导致输入错误信号,所以建议楼主在设计电路的时候根据电路要求
TTL是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的TTL信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样.所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平
TTL是晶体管电路,比CMOS速度快,功耗大.这种电路很常用,因此他的输入输出的电平也成了一个电平的标准,电平标准主要就是规定输入输出的电平高低范围.TTL输出高电平>2.4V,输出低电平=2.0V,
1错误:coms的功耗小,ttl的速度快但是功耗大;2正确:oc门与od门的主要特点相同,它们都可以提高负载能力;3错误:寄存器、计数器与电路本身前一状态有关,即与时间有关系,肯定是时序电路的;而编码
1.错误2.正确3.错误4.错误5.正确6.正确7.错误8.正确9.正确10.错误11.错误12.正确13.正确14.正确15.有歧异正确16.错误17.正确18.正确19.错误20.正确
竖6与斜6并联电阻值:R1=6×6/(6+6)=3(Ω)竖3与横6并联电阻值:R2=3×6/(3+6)=2(Ω)2并联电路再串联电阻值:R3=R1+R2=3+2=5(Ω)再与5并联电阻值:R4=5×5
正解A、D【解析】A中是个与非门,TTL门电路悬空相当于1(CMOS门电路悬空相当于0),所以A中相当于“A与B与1”再非,就是F.故A正确.B中是个与门,其中有个输入是0(接地,地电平),任何逻辑与
measabbr.(=measurable,measure)v.测量,量MEAs:MultilateralEnvironmentalAgreements中文全称:多边环境协定MEAS:MissionE
取决于你的产品应用,一般来讲,TTL电路和CMOS电路对静电的要求一样,都是满足industry级要求,ESD等级要求通过2000V(HBM)和200V(MM)再问:有没有什么资料可以查询呢?可以提供
直接选用集电极开路(OC)输出的TTL器件,输出端接上拉电阻到CMOS电源为好.如图电路不必认真计算:Rb=5KΩ,Ic=Vdd/Rc=2~3mA即可.
提问的网友需要注意的是,这部分电路是从整个电路中抽出来的,只要一个5V电源供电就可以,其他加的都是信号电压.当提到V1处给高电平时你可以视作V1处接了一个5V电压,低电平时可视作V1接地(或接0.3V
多发射极晶体管一般用作为TTL电路中的第一个管子,它有两种重要的作用:(1)提高电路速度:因为当电路由开态转变为关态时,多发射极晶体管即首先进入过饱和状态,然后才驱使其后面的晶体管截止,故多发射极晶体
CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差CMOS功耗很
功耗TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦(mw)而后者仅约为几十纳(10-9)瓦;在输出电位发生跳变时(由低到高或由高到低),TTL和CMOS门电路都会产生数值较大
这是个与非门电路.T1有三个发射极:A、B、C,其中只要有一个发射极低电位T1就导通,T1导通时C1为低电位;这时T2截止、T5也截止(T5是依靠R3上的电压来控制导通和截止的);由于T2截止,C2处
M点接h,为电压串联负反馈(直流反馈、交流反馈均有).M点接i,为电压串联负反馈(无直流反馈但有交流反馈).M点接j,为电流串联正反馈.
TTL器件内部是三极管,是电流驱动型器件,输入、输出必须有电流出入;CMOS器件内部是MOS管,是电压驱动型器件,不需要电流驱动,所以是理想器件,不会影响电路外围的R、C参数.TTL输入端有电流流出,
Q2和Q3相当于“并联”的两个三极管,只有A、B都为高电平时,Q4基极才是高电平.Q5部分画错了.再问:嗯,