作业帮电线载流子计算器
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/29 02:55:38
脱陷载流子ThetransportmodelofdetrappingcarriersofthePTFEelectretwhichshiftedtowardsthebackelectrodeofthes
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.
图中公式即为电导率与半导体中载流子数量的关系：等号左边的符号即为电导率；等号右边第一个字母n即为电子浓度（在P型半导体中则为空穴浓度p）,一定体积的半导体中,电子浓度与载流子数量成正比；第二个字母q为
需要判断载流子聚集在何方实际中载流子迁移速率u服从统计分布规律,速度小的载流子受到的洛伦兹力小于霍尔电场作用力,向霍尔电场作用力方向偏转,速度大的载流子受到磁场作用力大于霍尔电场作用力,向洛伦兹力方向
RH=1/nq
你搞错了吧,太阳能电池中,在pn结内建电场的影响下,n区空穴通过pn结向p区移动,p区电子通过pn结向n区移动,所以是两种载流子
作空穴等效时,空穴的运动方向是和电子相反的.这个涉及固体理论.就是说并非简单的一个电子的运动或者怎么怎么的,而是一群电子一起运动,导致的效果就相当于一个空穴在运动.所以和金属那样的电子导电或者n型半导
用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,若大拇指指向的是霍尔元件的低电位点,即是负电荷聚集的一侧,则是载流子是负电荷；相反,若大拇指指向的是霍尔元件的高电位点,即是正电荷聚集的一侧,则是载流
根据霍尔板两端的电压高低
N型半导体的多数载流子是电子.
金属的载流子就是电子,所以负电荷.半导体载流子有电子和空穴,空穴就是带正电荷的
CA(少数载流子浓度由ni^2/N,决定,N是掺杂浓度,也就是多数载流子浓度,ni为本征载流子浓度,随温度升高而增大)B(其他几种接法,电源噪声都可以通过负载电阻耦合到输出)
“腔长”是指量子阱的阱宽吗?定性上讲阱越宽,载流子浓度越高；阱越窄,载流子浓度越低
R=1/ne不确定
无论PN节加什么偏压,载流子都要参与漂移运动和扩散运动,只是看哪种运动占主导.当PN节加正向偏压时,P正N负,耗尽层减小,N区的电子在电场作用下漂移到P区,P区的空穴漂移到N区.同时,由于P区的空穴浓
P型半导体空穴导电霍尔系数R=1/pq>0N型半导体电子导电霍尔系数R=-1/nq
固体半导体中可以移动的载流子,实际上只有电子.电子分：在导带中的电子,和价带中的电子.由于两种电子的迁移率不同,造成它们导电性的不同.为分析方便,称导带中的电子为“电子”,而价带中的电子为“空穴”,并
是相对的,这种现象多出现于半导体内,当一块本征半导体的两个不同部位分别不同参杂后就会在结的附近出现一面是质子另一面是电子的集中堆积情况,堆积质子的一方由于大面积缺少电子,那么电子便是少数载流子,原来质
本征半导体中的两种载流子是电子和空穴.N型半导体多数载流子是电子,少数载流子是空穴.P型半导体多数载流子是空穴,少数载流子是电子.
本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下