热平衡状态的pn结,半导体费米能级处处相等

P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建

    不管是N型还是P型还是本征半导体,稳定后其中的空穴和电子个数是相等的.       

n型半导体费米能级靠近导带边,过高掺杂会进入导带.p型半导体费米能级靠近价带边,过高掺杂会进入价带.

只有这样才能形成从p到n的电流啊再问：我不明白的是：假如在P区的杂质是硼，硼与硅之间形成共价键，但这负离子怎么产生的？再答：这……所以半导体不会用这两种材料啊再问：P型半导体一般都是用磞元素和硅弄的。

本征半导体是完全不含杂质、晶格完整的单晶体n型半导体是指以电子为多数载流子的掺杂半导体PN结的_半导体是二极管--》读不通正常工作时工作在反向击穿状态的二极管通常是稳压二极管整流电路是二极管实际应用电

必须先有一个P型衬底,然后在通过在P衬底表面氧化,切除一块氧化膜,然后再在切除位置向里面扩散磷（磷的化学式是P,LS说错了）就可以了大概就是个这,其中的细节还是很多的,这个要牵扯到工艺

不可能叫管脚的,管脚是芯片封装或者器件封装中才叫管脚的.不明白你问的是什么,是p型半导体和n型半导体中间就叫pn结.两种半导体形成的区域叫耗尽区.是问这个吗?

电子与空穴的定向运动都会引起电流,同时也要考虑PN结的电子空穴复合.    例如给出的下图,红黑箭头碰撞的地方表示电子空穴复合.  &nbs

半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子（如硼）使之成为P型半导体,或掺入五价的原子（如磷）使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的

所谓的空穴,只是在p型材料中表示电子行为的一种人造概念.pn结正偏时,当PN结即将接触时,还没有形成空间电荷层,在P型半导体中的多子为Ph,少

因为半导体是由许多原子组成的固体,所以不能采用一般化学键的概念来分析半导体的性质.需要采用固态能带理论及其中载流子的特性才能很好地说明；特别是PN结还牵涉到少数载流子扩散等半导体物理问题.

pn结Fermi-level分布、势垒宽度与构成结的材料有关,不同的pn结是不同的,一般来说费米能级的调制是通过对半导体材料进行掺杂实现的

是的.P型半导体是在单晶硅（锗）中参入微量三价元素,如的硼、铟、镓或铝等,就变成以空穴导电为主的半导体,即P型半导体.在P型半导体中,空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子.如果在硅或

PN结光电二极管与光电效应太阳能电池核心部分都是PN结,在基本工作原理方面具有相同点：它们的工作都是将光信号转化成电信号或者说将光电转化为电能.具体地说,当光照在半导体p-n结上,形成新的空穴由-电子

费米能级是反应体系整体失去电子的难易程度吧,既然是反应整个体系,整个体系的费米能级当然处处相等了,具体记不清了,太久没学了了,想知道这个去看看功函数就明白了!

PN结处于反向击穿状态,稳压二极管比较特殊它的反向击穿是可逆的,当他反向击穿时电流变化很大,但电压基本保持不变.

采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是neg

你的问题类似于金属,半导体接触问题.要看金属（不是你所说的电解质,可以说是电极）的功函数和半导体的功函数谁大谁小.要是金属的功函数大,半导体导带向下弯,也就是能级变小,电子流向界面.如果金属功函数小,

全部先弄成P或N区,再把这之中的一部分掺杂基本工艺是：氧化（制作掩膜）、光刻（刻出扩散窗口）、高温扩散（掺杂）,也可用直接的离子注入等方法实现掺杂.离开这一行业已很久了,8130即我原服务单位再问：我

你的理解有偏颇.再问：我也觉得这种理解有问题，那么，请不吝赐教。再答：p性半导体和金属片制作在一起,可以形成pn结，一般肖特基二极管就是这个原理。那个是内建场对少子的抽取，和扩散电流相抵消。扩散是要有