消除霍尔效应的副反应

当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应,该电势差称为霍尔电势差（霍尔电压）.

霍尔元件上测得电压是由各种附加效应所产生的附加电压叠加的结果.附加电压包括不等位电势U0（与Is有关）,爱廷豪森效应UE（与Is、B都有关）,能斯特效应UN（与B有关）和里纪—勒杜克效应UR（与B有关

三者方向互相垂直.定义如下：当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应.根据你的问题实验时应注意在不同温度相同的B,I下测Vh值的不同并

先使励磁电流向一个方向,测出霍尔电压U1；然后使励磁电流向另一个方向,测出霍尔电压U2.取两个霍尔电压的平均值,就可以消除地磁场的影响了.原理：两种情况下,装置产生的磁场方向相反,因此地磁场对这两个磁

霍尔效应在1879年被E.H.霍尔发现,它定义了磁场和感应电压之间的关系.当电流通过一个位于磁场中的导体的时候,磁场会对导体中的电子产生一个横向的作用力,从而在导体的两端产生电压差.所以壁上的电荷,它

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让通过霍尔元件与电磁铁线圈的电流分别反向,就是说一共可以测四组数据,即正负两两组合.

载流子会在磁场作用下偏转,如果电流垂直于磁场,那么在垂直电流与磁场的方向就会积累偏转的电荷,形成电压（霍尔效应）.电压与工作电流以及外加磁场有关.如果工作电流已知,可以通过测量霍尔电压算出磁场.

霍尔效应是高中物理竞赛的内容哦.霍尔效应实质上是运动电荷在磁场中受到洛仑磁力的作用后发生偏转而产生的,当霍尔电场力与洛仑磁力平衡时,霍尔片的上下两个平面间形成了恒定的电位差,利用这个电位差就可以测出磁

量子霍尔效应：U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了,而霍尔系数Rh=1/(nq);那么我们只要改变B的大小,尽量多测几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值；那么首先我们考虑R-B

对称测量法：+B+IsV1+B-IsV2-B-IsV3-B+IsV4然后V=1/4（V1-V2+V3-V4）

解题思路：利用电磁知识的仪器仪表解题过程：电子天平：是采用电磁力平衡的原理，应用现代电子技术设计而成的。它是将称盘与通电线圈相连接，置于磁场中，当被称物置于称盘后，因重力向下，线圈上就会产生一个电磁力

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall,1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的.当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端

由于这些副效应与电流和磁场的方向有关,在测量时,改变电流或磁场的方向,将各次测得的霍尔电势差取平均,就可以基本消除副效应影响

问我就是问对人了,放假前我刚刚做完测试.将霍尔元件通上电源,一般是5V直流,但需要一个放光的LED连接,将霍尔元件靠近磁铁的N极,LED将发光,如靠近S极,LED一直不亮.其中需要有二极管电阻LED霍

这是由于测量霍耳电压的电极A和A'位置难以做到在一个理想的等势面上,因此当有电流通过时,即使不加磁场,也会产生附加的电压V0=ISr,V0的符号只与电流的方向有关,与磁场的方向无关,因此,可以通过改变

1）厄廷好森（Etinghausen）效应引起的电势差UE.由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子,

霍尔电压随磁场强度的变化而变化,磁场越强,电压越高,磁场越弱,电压越低.霍尔电压值很小,通常只有几个毫伏,但经集成电路中的放大器放大,就能使该电压放大到足以输出较强的信号.若使霍尔集成电路起传感作用,

霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔（A.H.Hall,1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的.后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这

1.小,测的是垂直方向的.实验之前将磁传感器调零不可少2.根据线圈间距所做出的图像略有不同磁场均匀是要调间距至图像（磁场强度~位置）中部水平