正向偏置时空间电荷区会不会增大-搜答案-智慧作业帮

发射结正向偏置,集电结也正向偏置：饱和状态（集电极电流不受基极控制,只与发射极与集电极电压大小有关）.发射结反向偏置,集电结正向偏置：应该是放大状态（从材料NPN,PNP上看,是对称的,所以发射结反向

浓度差导致扩散运动,电场导致的是漂移运动.正向偏置时在外场的作用下漂移加强扩散减弱,使得中间的耗尽区宽度减小.你也可以认为是外场抵消了内场再问：那正向偏置时的电流到底是因为扩散运动产生的还是因为漂移运

P型半导体因为得到电子显负电荷,N型半导体失去电子显正电荷.其内电场的方向是N→P.当P加正电压,N加负电压时.外电场的方向是P→N.也就是说正加负,抵消削弱电场,使PN结变薄导通.当P加负电压,N加

首先应该理解PN结的形成,PN结是由于电子和空穴从高浓度向低浓度扩散形成的,即P型区的空穴向N型区扩散,N型区的电子向P型区扩散.最后形成空间电荷区空间电荷区的分布是靠P型区的是电子,靠N型区的是空穴

首先要知道：保证管子能正常工作的前题是BE结加正向电压BC结加反向电压,然后1.发射区向基区扩散电子,2.电子在基区边界扩散与复合,空穴由外电源补充,维持电流.3.电子被集电极收集.改变基极电流就可以

纠正你的一个错误,不是发射极,而是发射结,后面那个应该是集电结.所谓正向偏置和反向偏置,其实是针对PN结而言,如果P区的电压比N区高,称为正向偏置,反之N区的电压比P区高,则称为反向偏置.晶体三极管都

多子和少子都是指载流子.在P型半导体材料中,空穴多,自由电子少,空穴是多子自由电子是少子；在N型半导体中正好相反,自由电子是多子,空穴是少子.也有说成“多数子、少数子”的,还有叫做“多数载流子、少数载

摘抄如下：正偏时,空间电荷区变窄,电位壁垒随之降低,将有利于多数载流子的扩散运动,而不利于少数载流子的漂移运动.因此,扩散电流将大大超过漂移电流.反偏时,空间电荷区变宽,电位壁垒随之升高,将有利于少数

选D三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

高单向导通性正向,反向越大小,大脉动,相同并3V偏置电阻一半

1、高2、单向导电性3、反射结正偏集电结反偏5、基集电流集电基电流6、单向脉动7、并8、正向9、静态参数会的我都已经回答了,有几个不会,不好意思

首先理解pn结形成后的电荷状态吧.在电荷区靠P区的是聚集负电荷,在电荷区靠N区是聚集正电荷.此时,电荷区的内部电场方向是由N区指向P区.当PN结正向偏置时,即给PN结加由P区指向N区的正向电压,那么这

P区,N区

处于放大状态的三极管发射结正向偏置,集电结一定是反向偏置的

在二极管两端加上正向偏置时,将电源的正极与（P）区相接将电源的负极与（N）区相接时二极管（正）偏,处于（导通）状态加反向偏置时,处于（截止）状态.

一个PN结就是二级管,正向偏置就是万用表测两次,其中一次电阻较小的是正向偏置,反之就是反向偏置.

你所说的截止区是不是耗尽层啊?我们学的时候叫做耗尽层,首先扩散可以增加耗尽层,所谓扩散是正电荷由p区到n区,负电荷反之,是由浓度差产生.漂移电场产生的,在耗尽层里面,n区正性,把n区少子（正电荷）推回

只是空间电荷区的宽度减小而已.

这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态；当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.再问：很小和小，很大和大有区别吗再答：基本没区别。。。

P端所加电压比N端高且要高与死区电压则为正向偏置,N端所加电压比P端高,在保证不击穿的情况下为反向偏置,单向导电为只有正向偏置的时候导通!

正向偏置时 空间电荷区会不会增大