模拟电子 选择题 在杂质半导体中 多数载流子的浓度主要取决于

CBBBABBACAAA再问：一共13体

纯净的半导体就是本征半导体,在元素周期表中它们一般都是中价元素.而杂质半导体是指在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体.两者有本质的区别.

空穴是电子空穴,电子带负电,原子核带正电,电子跑了,正负电荷不再相等.就相当于带了正电.你指的是金属导体吧?金属根本没有失去电子,只是电子运动范围扩大而已,对于整块金属,正负电荷还是相等的.而且请注意

既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是

按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.

单项选择题第1题在一个多电子原子中,具有下列各套量子数的电子,能量大的电子具有的量子数（n,l,m,ms）是（D）A、（3,2,+1,+1/2）B、（2,1,+1,-1/2）C、（3,1,0,-1/2

选取3价元素,例如：硼,铝,镓,铟；

理解的有一定的深度,空穴是不同原子间形成共价键.共价键使不同原子公用电子,达到最外层八个电子的稳定结构,如果还有原子剩余电子,则该电子自由.于是材料靠电子导电,即为N型.否则电子不足,照样共价后,便在

1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

D.5价磷、砷、锑、铋等比碳硅多电子的元素,这些元素在碳硅中成键只需四个电子,多余电子可自由移动,由于是电子（negative)导电,故称N型杂质半导体.

根据物理上的需要往纯的半导体中掺入所需的元素

你把完整的话写下来杂质吸收是杂质吸收光波之类的东西吧,半导体物理里面啥地方出现这个概念了?再问：我找不到这才在网上寻找高人么，今年考研，不是应届，也没个老师问。我再找找提交追问吧

载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度；载流子空穴的浓度主要取决于电压?（这个不太拿得准）

半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产加的杂质能级.杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近.杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子.这种能提供电子载流

在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移

2.电子,空穴,正,3,空穴,电子,负3.单向导通,正向（正偏）,反向（反偏）4.反向击穿,加限流电阻5.基,集电,发射,PN,基,集电极,发射极6.VEF,正极,负极,击穿7.共射,共基,共集8.发

1)本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体.绝对零度时价带被价电子填满,导带是空的.2)随着温度的升高,本征载流子浓度迅速地增加,在本征时器件不能稳定工作.而对于掺杂半导体,室温附近载流子主

按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质.按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质.浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大,而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著.氧、

1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）A电子B空穴C三价硼元素D五价磷元素N：negative（负）的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导

当一个电子被杂质或缺陷的缺陷中心的束缚态俘获后,该束缚态或陷阱能级就消失了.也就是说,对于第二个电子看来这些能级是不存在的,所以第二个电子不可能被俘获.