根轨迹簇

根轨迹　　根轨迹是开环系统某一参数从零变化到无穷大时,闭环系统特征根在s平面上变化的轨迹.可分成常义根轨迹和广义根轨迹.根轨迹由180度、0度和参量根轨迹.　　增加开环零点、极点对根轨迹的影响?　　增

说明1、楼上传递函数写错了,楼主给的是三阶传函.2、根轨迹图与bode图分别用rlocus和bode函数.根轨迹曲线形状和增益K无关,但Bode图和K有关,这里绘图按照K=1（对K取其它值,相频曲线不

这应该是根轨迹的幅值条件问题.开环传递函数GH=(K*)*Π(s-zi)/[s^v*Π(s-pj)]闭环特征方程GH+1=0,即知幅值条件(K*)*Π|s-zi|/[|s|^v*Π|s-pj|]=1事

一般情况下遇到的都是负反馈,相应的为180°根轨迹.这种情况若实轴某一区域右边开环实数零、极点之和为奇数,则该区域是根轨迹.若为正反馈,则是零度根轨迹.这种情况若实轴某一区域右边开环实数零、极点之和为

这种情况一般就是在分子上乘个开环增益K作为参数.不过乘之前要把各项化成as+1的形式,这里的s+3要化一下,上下同时除以3.其实根据真正的开环增益定义,直接乘上的K不是开环增益,真正的开环增益应该是1

可以根据相角定理多描几个点,然后就是这个还是要根据经验吧,对各种根轨迹比较熟悉了自然就知道是什么形状啦

解题思路：轨迹方程解题过程：varSWOC={};SWOC.tip=false;try{SWOCX2.OpenFile("http://dayi.prcedu.com/include/readq.ph

显然答案是错的.你的考虑是正确的.极点那里也是.

你好,请记住一个结论：相角条件是绘制根轨迹的充要条件(1)∑∠(s-z)-∑∠(s-p)=(2k+1)π(2)没有零点,故)∑∠(s-z)=0(3))∑∠(s-p)的计算起点(-1,√3)与终点(-1

感觉有点晕,我记得状态方程是现代控制理论里的内容,不过根轨迹和相平面我们只在经典控制理论中提过.我试着回答一下吧：根轨迹和相平面其实是两个不搭嘎的东西（个人感觉）,一定要先弄清这些东西是干嘛的根轨迹描

ootlocus

昨天考完自控···趁还记得···如果是多选的话,我选择：d在画出射角和入射角时候用.其他没什么印象····

很简单.因为根轨迹是上下对称的,如果s1=0.5+j3是一个特征根,那么s2=0.5-j3也是特征根,根据根之和规律,闭环极点之和等于开环极点之和,s1+s2+s3=-6,得出s3=-7,然后待定系数

解题思路：抛物线解题过程：varSWOC={};SWOC.tip=false;try{SWOCX2.OpenFile("http://dayi.prcedu.com/include/readq.php

s=tf('s');forT=[.1.2.5125];G=(1+T*s)/(s*(s+1)*(s+2));rlocus(G);holdonend

根轨迹向左移动,系统性能变好!

按照根轨迹的绘制步骤一步步来,就像极点多时选择无限远点为零点（终点）,零点多时选择无限远点为极点（即起点）,计算出射角,入射角,渐近线,虚轴交点什么的就可以,此题有点特殊,复平面上的两对可以组成起点和

看来LZ对根轨迹理解得还不深刻,其实根轨迹是一个方程的根随着某个参数变化而变化的问题,虽说特征根可以反映控制系统的稳定性及其他的性能,但求根本身是一个纯数学问题,与控制系统没有半点关系,不知lz能否明

满足幅值条件和相位条件的点,必是闭环极点,从而也就必在根轨迹上.（正是根据这一点,可绘制出根轨迹图）幅值条件见

这样理解吧,根轨迹有分离点,其实是特征方程有重根,可以利用令一阶导数为零求到重根；找个例子自己试试看,把特征方程整理下,可以整理出根轨迹增益=.的表达式,因此也可以用对根轨迹增益求导求得重根了.理解了