作业帮杂质半导体掺杂六价
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/19 17:27:56
不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了再问：有些不懂哎不能有个大致的浓度范围吗再答：刘恩科《半导体物理》书里应有详细的介绍，有这时间看看书就都知道了
按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.
半导体材料一般是锗或者硅,他们最外层电子是4,一次是四价元素,这些硅原子或者锗原子之间形成共价键,而加入三价元素后,形成共价键时由于要形成四个共价键,而三价元素外只有三个电子,故形成一个空位,其他自由
这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主
掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.
N型,P型希望采纳
很多种,扩散啊,离子注入啊,你去找找半导体工艺的书看吧,很详细的
单晶硅（四价）时,没个硅原子和其周围的硅原子组成8电子稳定结构.当三、五族元素掺入到单晶硅后,不管是替位（掺杂原子代替某个硅原子）还是间隙（较小的杂质原子可掺入到硅原子间隙之中）,他们的特点都是离8电
半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子（如硼）使之成为P型半导体,或掺入五价的原子（如磷）使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的
1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI
就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.
根据物理上的需要往纯的半导体中掺入所需的元素
什么是掺杂半导体?相对而言,本征半导体中载流子数目极少,导电能力仍然很低.但如果在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强.由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类.N
本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷
石英石里的颜色是来自于微量的金属的化合物,比如紫色石英石因为里面有微量的Fe(SCN)3；而紫色的石英石加热后,就得到了黄色和绿色的石英,这是因为含铁化合物受辐射而重排而产生的颜色.玫瑰红的是来自微量
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移
在假定迁移率不变的情况下,硅的电阻率由载流子浓度决定.室温下,硅有确定的本征载流子浓度.也即有确定的电阻率.在掺杂的情况下,掺杂的浓度会远大于本征载流子浓度.则硅的电阻率,就完全由杂质浓度来确定.所以
一般半导体导电性都会随温度升高而显著增强,这是因为提高温度,会有多得多的价带电子获得能量而到达导带.
纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入